微电子封装要点详解.ppt

热超声球键合 (2) H2 火焰 球 (1) 金丝 毛细管 劈刀 (5) 压力和加热 形成压点 引线框架 (6) 劈刀向上移动 在压点旁将引线折断 在压点上的焊球 压力和 超声能 芯片 (3) 劈刀向上移动并导入更长的引线 Die (4) Figure 20.12 热超声球键合是一种结合超声振动,热和压力形成键合的技术,被称为球键合.基座维持在约150度.热超声球键合也有一个毛细管劈刀,由碳化钨或陶瓷材料制成,它通过中心的孔竖直输送细金丝.伸出的细丝用小火焰或电容放电火花加热,引起线熔化并在针尖形成一个球.在键合过程中,超声能和压力引起在金丝球和铝压点间冶金键合的形成.球键合完成后,键合机移动到基座内端电极压点并形成热压的楔压键合.将引线拉断,工具继续到下一个芯片压点. 引线键合拉力试验 柱 器件 测试中的芯片 钩 样品卡 Figure 20.13 卷带式自动键合 TAB技术 卷带式自动键合 (TAB) 聚合物条带 铜引线 Figure 20.26 倒装芯片 倒装芯片是将芯片的有源面（具有表面键合压点）面向基座的粘贴封装技术。这是目前从芯片器件到基座之间最短路径的一种封装设计，为高速信号提供了良好的电连接。由于它不使用引线框架或塑料管壳，所以重量和外形尺寸也有所减小。 倒装芯片技术使用的凸点－－通常有5％Sn和95％pb组成的锡/铅焊料，以互连基座和芯片键合压点（见下图）。通常用的焊料凸点工艺被称为C4（可调整芯片支撑的工艺）。 倒装芯片封装 压点上的焊料凸点 硅芯片 基座 连接管座 金属互连 通孔 Figure 20.20 硅片压点上的C4焊料凸点 回流 工艺 金属淀积和刻蚀 第二层金属淀积 Sn Pb (3) 在回流过程 中焊球形成 (4) Oxide 氮化硅 Al 压点 (1) 第三层复合金属 Cu-Sn Cr+Cu Cr (2) Figure 20.21 倒装芯片的环氧树脂填充术 关于倒装芯片可靠性的一个重要问题是硅片和基座之间热膨胀系数（CTE）失配。严重的CTE失配将应力引入C4焊接点并由于焊接裂缝引起早期失效。通过在芯片和基座之间用流动环氧树脂填充术使问题得以解决（见下图）。 焊料凸点 芯片 环氧树脂 基座 Figure 20.22 倒装芯片面阵焊接凸点与引线键合 因为倒装芯片技术是面阵技术，它促进了对封装中更多输入/输出管脚的要求。这意味着C4焊料凸点被放在芯片表面的x-y格点上，对于更多管脚数有效利用了芯片表面积。 压点周 边阵列 倒装芯片凸点面阵列 Figure 20.23 引脚架 薄/厚膜技术 传统封装 IC有许多传统封装形式，封装必须保护芯片免受环境中潮气和沾污的影响及传运时的损坏。IC封装形成了在引线框架上互连到芯片压点的管脚，它们用于第二级装配电路板。芯片压点的间距范围从60～115μm。引线框架电极从该压点间距扇出到用在电路板上更大的压点间距。 在早期是普遍的金属壳封装，现在它仍然用于分立器件和SSI。芯片被粘贴在镀金头的中心，并用引线键合到管脚上。在管脚周围形成玻璃密封，一个金属盖被焊到基座上以形成密封。例子是金属TO型（晶体管外形）封装，如图所示。两种最广泛使用的传统IC封装材料是： 陶瓷封装 塑料封装 陶瓷封装 陶瓷封装被用于集成电路封装，特别是目前应用于要求具有气密性好、高可靠性或者大功率的情况。陶瓷封装有两种方法：耐熔（高熔点）陶瓷；薄层陶瓷。 耐熔陶瓷基座是集成电路封装常用的，它由氧化铝粉和适当的玻璃粉及一种有机媒质混合而构成浆料，浆料被铸成大约1密耳厚的薄片，干化，然后制作布线图案以制成一个多层陶瓷基座（见下图）。用户连线电路被淀积在单层上，用金属化通孔互连不同的层。 分层耐熔陶瓷加工顺序 陶瓷互连层 4层分层 Figure 20.17 陶瓷针栅阵列（PGA） Courtesy of Advanced Micro Devices Photo 20.2 PGA被用于高性能集成电路,像高频和具有高达600个管脚的快速微处理器.PGA管壳经常需要一些散热片或小风扇排出管壳内产生的热 薄层陶瓷CERDIP（陶瓷双列直插） 封装 陶瓷盖 玻璃密封 陶瓷基座 金属管脚 环氧树脂和引线框架上的芯片 剖面 标志槽 横截平面 Figure 20.18 陶瓷封装技术的一种低成本方式是将两个陶瓷件压在一起.引线框架被定位在它们之间. TO-型金属封装 Figure 20.14 塑料封装从引线框架上去除连接边 芯片 引线框架 连接边 连接边 去除线 Figure 20.15 塑料封装种类:双列直插封装 (DI