晶核的形成.ppt.pptVIP

4-3-2非晶核的形成 * 第三节 晶核的形成 形核方式有两种：一种是均匀形核，即新相晶核在母相内自发地形成；另一种是非均匀形核，即新相晶核在母相与外来夹杂的相界面处优先形成。工程实际中材料的凝固主要以非均匀形核方式进行，但均匀形核的基本规律十分重要，它不仅是研究晶体材料凝固问题的理论基础，而且也是研究固态相变的基础。 ? 4.3.1 均匀形核 均匀形核（均质形核）是固相晶核在液相内部结构起伏的基础上自发地形成，即晶核由液相中的一些短程有序原子集团或晶胚直接形成，均匀形核亦称为均质形核； 1.液态金属中的相起伏 2.均匀形核的能量条件 在过冷的液态金属中，晶胚形成的同时，体系自由能的变化包括转变为固态的那部分体积引起的自由能下降和形成晶胚新表面引起的自由能的增加。假设单位体积自由能的下降为 ΔGv(ΔGv0) ，比表面能为σ，晶胚假设为球体，其半径为r ,则晶胚形成时体系自由能的变化为: ΔG= 4πr3ΔGv/3+4πr2σ 关系曲线如图 当 rrc 时，晶胚的长大使系统自由能增加，晶胚不能长大。当 rrc 时，晶胚的长大使系统自由能降低，这样的晶胚称为临界晶核，rc为临界晶核半径。 可见，过冷度 ΔT 越大， rc 越小，即形核的机率增加。形成临界晶核需要的能量称为临界晶核形核功 ΔGc,即 上式表明，形成临界晶核时液、固相之间的自由能差只能供给所需要的表面能的三分之二，另外的三分之一则需由液体中的能量起伏来提供。 图4-6 非均匀形核示意图 (?为晶核; L为液相; W为固态基底) a b 形成? 晶核所引起的体积自由能变化为 晶核形成时体系总的自由能变化为 求出非均匀形核时的临界晶核半径r* 可得非均匀形核的形核功为 △Gk非/△Gk=(2-3cosθ+cos3θ)/4 a θ=0时，△Gk非＝0，杂质本身即为晶核； b 180θ0时, △Gk非△Gk, 杂质促进形核； cθ=180时，△Gk非＝△Gk， 杂质不起作用。 *