河北大学集电复习2014重点解析.docVIP

硅的晶体结构 1 单晶硅、多晶硅、非晶硅 单晶硅：由单一晶格周期性重复排列构成的晶体结构。 多晶硅：有很多具有不同晶向的晶粒无规则堆积而成，晶体内部是单晶结构，而晶粒之间 是无序的晶粒间界。 非晶硅：短程有序而长程无序的无规则网络结构。 2 硅的晶胞结构描述（两套面心立方格子沿体对角线位移四分之一长度套构而成），每个硅晶胞含有（8）个硅原子，硅的原子密度为（5*1022）个/立方厘米，硅晶体的空间利用率为（34%）。硅的原胞结构为（正四面体结构）。 3 画出单晶硅的正四面体结构。 4 晶向、晶面、晶胞。 晶向：表示一列晶列所指的方向； 晶面：晶格中所有的原子不但可以看做是处于一系列 方向相同的平行直线上，而且也可以看做是处于一系 列彼此平行的平面系上，这种平面系称为晶面。 晶胞：能够最大限度的反映晶体立方对称性质的最小重 复单元。 5单晶硅100、110、和111晶向的线密度以及（100）、（110）、和（111）晶面的面 密度。单晶硅的密堆积结构。 单晶硅晶向线密度分别为，，； 单晶硅晶面面密度分别为，，； 单晶硅的密堆积结构是立方密堆积。 6 硅中点缺陷包括（自间隙原子）、（外来原子）、（肖特基缺陷）、（弗仑克尔缺陷）。线缺 陷包括（刃位错）、（螺位错）。面缺陷包括（层错）、（晶粒间界）。 7刃位错，螺位错。 刃位错：位错线与滑移矢量垂直的位错； 螺位错：位错线与滑移矢量平行的位错。 氧化 1 画出Si-O四面体结构。 2 SiO2只被HF腐蚀，其反应式 3 杂质在SiO2网络中所起的作用分为（网络形成者）和（网络改变者）。 4 生长一个单位厚度的SiO2要消耗（0.44）个单位厚度的Si层。 5干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化的特点。实际生产中采用的氧化方法为（干氧氧化、湿氧 氧化、干氧氧化）。 干氧氧化：结构致密但氧化速率低；湿氧氧化：氧化速率高但结构略粗糙，制备厚二氧化硅薄膜；水汽氧化：结构粗糙，不可取 6 简述热氧化的生长动力学过程。当氧化时间很短时，生长速率由谁决定；氧化时间很长时 情况又如何? 热氧化的生长动力学过程： a.氧化剂从气体内部以扩散形式穿过附面层运动到气体—SiO2界面； b.氧化剂以扩散形式穿过SiO2层； c.氧化剂在Si表面与Si反应生成SiO2； d.反应的副产物离开界面。 氧化时间很短时生长速率由（表面化学反应速率的快慢决定）； 氧化时间很长时生长速率由（氧化剂在SiO2中的扩散快慢决定）。 7 氧化过程中加入Cl可以改善SiO2和Si-SiO2界面的质量，其原因是什么？ a.钝化可动离子，尤其是钠离子（生成可挥发的金属氯化物）； b.增加氧化层下面硅中少数载流子的寿命； c.减少了二氧化硅中的缺陷，提高了氧化层的抗击穿能力； d.降低了界面态密度和表面固定电荷密度； e.减少了氧化层下的硅中由于氧化导致的层错堆积。 8 分凝系数的定义为（分凝后的溶质在两种溶剂中的平衡浓度的比例常数称为分凝系数）。 9 指出Si-SiO2界面的4种电荷的名称分别是（可动离子电荷）、（氧化层固定电荷）、（界 面陷阱电荷）、（氧化层陷阱电荷）。 扩散 1 杂质扩散机构包括（间隙式扩散）和（替位式扩散）。 2 间隙式扩散、替位式扩散。 间隙式扩散：存在于晶格间隙中的杂质称为间隙式杂质。由于原子的运动，间隙式杂质从 一个间隙位置越过势垒而运动到另一个间隙位置的过程称为间隙式扩散； 替位式扩散：占据晶格原子的外来杂质称为替位杂质。在热运动作用下，替位杂质从一个 晶格位置运动到另一个晶格位置的过程称为替位式扩散。 3 扩散系数与扩散方程。 扩散系数： D0=a2v0，称为表观扩散系数，ΔE为扩散激活能，ΔE以及温度T是决定扩散 系数的基本量。 扩散方程： 4 恒定表面源扩散、有限表面源扩散。 恒定表面源扩散：在整个杂质扩散过程中，Si片表面的杂质浓度始终保持不变； 有限表面源扩散：在扩散之前，在Si片表面先沉积一层杂质，在整个扩散过程中，这层 杂质作为扩散的杂质源，不再有新能源的补充，这种扩散方式为有限表面源扩散。 5 两步扩散工艺包括（预扩散）和（主扩散）。 6 硼、磷等替位型杂质的实际扩散机制包括（空位交换模式）和（填隙扩散机制）。 7 按照原始杂质源在室温下的相态，扩散工艺包括（固态源扩散）、（液态源扩散）和（气 态源扩散）。 8 硼要向扩散进入硅中，需要先变为（B2O3）； 磷要想扩散进入硅中，需要先变为（P2O5）。 离子注入 1 核碰撞和核阻止本领。 核碰撞：注入离子与靶内原子核间的碰撞； 核阻止本领：能量为E的一个注入离子，