第二讲表面科学与工程的基础理论要点.ppt

4、反演界面 当晶体结构由中心对称向非中心对称转变时，由反演操作联系起来的两个畴之间形成反演界面IB。 反演界面两侧点阵相同，但通过一个反演中心联系着。 I B 左侧 右侧 设在平面内给定一点O和常数k(k不等于零)，对于平面内任意一点A，确定A′，使A′在直线OA上一点，并且有向线段OA与OA′满足OA·OA′=k，我们称这种变换是以O为的反演中心，以k为反演幂的反演变换，简称反演。称A′为A关于O（r）的互为反演点. 二、界面的微观结构 指晶粒间界的结构，是在晶体结晶过程中形成的，存在于多晶材料中。晶界区的晶粒表面原子，由于受到相邻晶粒势场的作用，这些原子将在晶界区重新排列并达到平衡状态。 晶粒1 晶粒2 晶界 晶界原子排列示意图 据晶界结构相邻晶粒取向差别角度的大小，可分为小角晶界和大角晶界。 1、晶界原子排列的理论模型 2、小角晶界 两个相邻晶粒取向差别角度?在0-10o之间。 ?较小的小角晶界可用位错排列来说明。如下图。 小角倾转晶界示意图 3、大角晶界 当两个相邻晶粒取向差别角度?超过15o时为大角倾斜晶界，此时晶界内位错密集，当?超过35o时，位错覆盖整个界面。 4、共格晶界 界面两边相邻晶粒的原子成一一对应的相互匹配关系。界面上的原子为相邻两个晶体所共有。 相邻晶粒的面间距差不多时，可完全共格；面间距相差较大时，出现部分共格。 5、晶界能与晶界电势 晶界能：晶界处的界面能。 晶界电势： 小角度范围（?15o）时：E=EZ/D 或El/D， EZ为晶界处单位长度刃型位错应变能， El为晶界处单位长度螺型位错应变能。D为小角度刃型位错的间距。 大角度范围时：复杂，待进一步解释。 是杂质在晶界上偏析的重要因素，晶界势垒是许多功能材料特性的成因。 表面原子扩散（自学） 扩散机理 扩散类型 影响扩散的因素 思考题 物理吸附与化学吸附可以同时存在么？ 表面粗糙度对润湿如何影响？为什么？ 切削、磨削时加入少量切削液能大幅度提高效率，为什么？ 固体表面的物理吸附和化学吸附 由于固体表面上原子或分子的力场是不饱和的，就有吸引其它分子的能力，从而使环境介质在固体表面上的浓度大于体相中的浓度，这种现象称为吸附。 吸附表面 在清洁表面上有来自体内扩散到表面的杂质和来自表面周围空间吸附在表面上的质点所构成的表面。 吸附表面可分为四种吸附位置： 顶吸附、桥吸附 、填充吸附、中心吸附 顶吸附 桥吸附 填充吸附 中心吸附 俯视图 剖面图 固体对气体的吸附 一个气体分子被表面吸附主要分成物理和化学两类 ： 物理吸附 （Physical adsorption）： 任何气体在其临界温度以下，都会在其和固体表面之间的范德华力(Van der Waals)作用下，被固体吸附，但两者之间没有电子转移。 化学吸附 (Chemical adsorption)： 气体和固体之间发生了电子的转移，二者产生了化学键力，其作用力和化合物中原子之间形成化学键的力相似，较范德华力大的多。 但并不是任何气体在任何表面上都可以发生化学吸附。 物理吸附与化学吸附的区别 （1）热效应不同 物理吸附热小于化学吸附热，化学吸附热与化学反应热同等数量级，物理吸附热与液化相似；前者脱附温度在气体的沸点附近，后者的脱附温度比气体脱附温度高。 （2）吸附和脱附的速率不同 前者类似凝聚现象，不需要活化能，吸附速度快。后者类似化学反应，需要活化能，吸附速度慢。前者易脱附，可逆；后者不易脱附，不可逆。 （3）化学吸附有选择性 化学吸附有高度选择性。如氢会被钨和镍化学吸附，不能被铝化学吸附。物理吸附无选择性。 （4）吸附层厚度不同 化学吸附是单层覆盖，一旦整个表面被单分子覆盖，化学吸附就达到饱和，终止。当进一步输入气体时，或者形成物理吸附，或者形成化合物。 （5）吸附态的光谱不同 物理吸附只能使原吸附分子的特征吸附峰发生某些位移，或强度改变，而化学吸附会在光谱区产生新的吸收峰。 物理吸附与化学吸附的区别 物理吸附与化学吸附的区别 物理吸附和化学吸附的联系 ①某些情况下，物理吸附物和吸附剂之间相互作用拉长某些化学键，使分子化学性质改变，这样很难断言为何种吸附； ②有些化学吸附可以直接在吸附物与吸附剂之间进行，而相当多的化学吸附必须先经过物理吸附，然后再进行化学吸附； ③两者可在一定条件下转化，如在铜上，氢分子的物理吸附，经活化而进一步与铜催化表面接近，就可以转化为解理面氢化学吸附。 物理吸附和化学吸附的联系 吸附的定量分析（自学） 吸附等温线 吸附等压线 吸附定量试验 吸附实例 Lei Xu. et