气相法制备晶体.ppt

SiC的命名原则： 由表征原胞中原子层数目的数字,表征原胞对称性的字母以及括号间的数字三部分组成 立方对称用字母C表示（β－SiC） 三角晶体，具有原始的菱面体用R，具有六方平行六面体结构用H（ α－SiC） 括号中的数字表示一个单胞的重复层数 热稳定性： 碳化硅的热稳定性高，在常压下不可能熔化碳化硅 高温下，碳化硅升华分解为碳和含硅的碳化硅蒸汽 在2830℃（±40℃ ）和35atm下,出现转熔点，分解为与石墨相平衡的富硅液体 碳化硅没有固定的熔点 1955年，荷兰菲利普研究室Lely，用升华法制备杂质数量和种类可控的具有足够尺寸的碳化硅单晶体 在真空或惰性气氛中工作，在熔炉坩埚中央温度最高，顶部和底部降到最低值 碳化硅不完全分解，剩余的碳在氧气中燃烧排除，在炉膛顶部和底部生长出尺寸10mm以下的针状或片状碳化硅，主要是六方碳化硅 生长室与标准机械泵，吸附泵，离子泵，液氮冷阱，钴升华泵等构成的真空系统相连，以保证各室的真空度为10-8 -10-9 Pa,外延生长时10-7Pa 生长室内有多个由氮化硼，石英或石墨做的坩埚，外绕钨丝加热，并用热电偶控温 气态分子从坩埚开口处射出形成分子束射向衬底，由炉口的快门控制分子束地发射与中止 分子束发射炉对面的带有加热器地衬底架 为了对衬底表面清洁处理，还装有离子枪 监控系统一般包括四极质谱仪，俄歇谱仪，高、低能电子衍射仪等监测残余气体和分子束流的成分，表面成分，化学计量比，表面沾污等晶体表面结构 化学气相沉积定义: 使用一种或数种物质的气体，或使用载流气体(氢气)通过液态源冒泡并携带源蒸汽，进入反应腔，以某种方式激活后，在衬底表面发生化学反应．并淀积出所需薄膜晶体的生长技术 发展历史： 1800年，用它来提炼难熔金属 20世纪初，用其生产白炽灯钨丝 20世纪50年代，用于生产硬质金属涂层 20世纪60年代，用于半导体材料的制备，如在开管气态输送系统中，硅的气态化合物(SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, SiH4)与氢气发生还原反应或自身分解反应，生成硅单晶，并沉积硅衬底表面 化学气相沉积优缺点 优点： 沉积装置简单 可在大大低于其熔点或分解温度下制造耐熔金属和各种碳化物，氮化物，硼化物，硅化物和氧化物薄膜 反应源材料易获得，制备同一种薄膜可选用不同的化学反应 改变和调节反应物的成分，可控制薄膜的成分和特性，灵活性较大 适用于在形状复杂的零件表面和内孔镀膜 ?缺点： 沉积速度不太高，一般在几个-几百nm/min，不如蒸发和离子镀，甚至低于溅射镀膜 参加沉积的反应源和反应后的余气，易燃，易爆或有毒，需采取防污措施；对设备也有耐腐蚀的要求 对局部或某一个表面沉积薄膜时很困难，不如PVD技术方便 在新技术下，CVD成膜的工件温度仍然高于PVD技术，使其应用受限制 化学气相沉积类型 根据反应类型不同分为热解化学气相沉积、化学合成气相沉积、化学输运反应 1、热解化学气相沉积 热解化学气相沉积是指一般在简单的单温区炉中，在真空或惰性气氛下，加热衬底至所需温度后，导入反应气体使之发生热分解，最后在衬底上沉积晶体材料 条件是分解原料易挥发，蒸气压、反应活性高 (1)?氢化物： 氢化物M-H键的离解能、键能都比较小，热解温度低，唯一的副产物是没有腐蚀性的氢气 (2) 金属有机化合物： 金属烷基化合物，其中M-C键能小于C-C键能，可广泛用于沉积高附着性的粉末和金属膜 2、 化学合成气相沉积 化学合成气相沉积法通常是利用两种以上物质之间的气相化学反应，在高温下合成出相应的化学产物，冷凝而制备各类物质的微粒。 3、 化学输运反应 把所需要的物质当做源物质，借助于适当的气体介质与之反应而形成一种气态化合物，这种气态化合物经化学迁移或物理载带(用载气)输运到与源区温度不同的沉淀区，再发生逆向反应，使得源物质重新沉淀出来，这样的过程称为化学输运反应。上述气体介质叫做输运剂。 二种控制机制的特性： 在质量传输（扩散）控制时（高温），淀积速率与温度的关系是不变的，气体流量和反应剂的传输十分重要，对设备结构和衬底放置有较高要求，例如，硅外延淀积，气相过程是主要的 在表面反应控制时（低温），对温度十分敏感，对气流和衬底放置的限制少，例如，多晶硅填充，对温度非常敏感 解决办法： 调节气流，使反应室内的气流为层流；不稳定的气体涡旋将影响薄膜生长的稳定性 支座是斜的，减少了沿着支座方向反应腔的截面积，会导致沿支座边界层的减薄 表面反应限制区的耗尽效应的方法，采用沿管子或腔体从前到后有5-25℃的温度增加的梯度 在质量传输限制区域，采用不同的气流结构以克服边界层的不均匀和耗尽效应，气体从上面注射下来 ?工作气体：低温高挥发性的金属有机物，如烷基