基于ATS电子密码锁设计.docVIP

前言 随着电子计算机的迅猛发展，数字电子技术也深入到了人们生活的各个领域，在国内国外，电子产品的日益更新可谓如雨后春笋 ，层出不穷，更多的电子产品也越来越多的用于安全技术防范领域。电子密码锁，一种具有防盗报警功能的电子产品随之诞生，并逐步代替了传统的机械式密码锁。它克服了机械式密码锁密码单调、安全性低等特点，使密码锁无论从性能技术还是成本上都有了大步的提高， 随着电子密码锁技术的逐步成熟，一种基于单片机的电子密码锁也走进了我们的生产和生活领域之中。从目前的市场需求和技术发展来看，国内外现在使用频率最高的就是键盘输入式电子密码锁。这种密码锁有着容易掌握，准确性可靠，不易丢失或泄露密码，密码易于修改等特点，被广泛用在保险箱、保险柜、防盗门、金库、运钞车、个人住宅和银行等场合。 本文所设计的电子密码锁由单片机、矩阵键盘、数码管和报警电路等实现，可由用户设置和修改密码，还可以根据实际情况选择添加无线或者红外遥控功能。 1.总体设计方案 1.1 电子密码锁总体结构 图1 电子密码锁总体结构图 1.2 电子密码锁系统设计方案 图2 电子密码锁系统设计方案图 本设计实现一个简单的电子密码锁，用4×4键盘组成0~9输入键以及设置密码、清除密码、开锁、确认、退出和F1功能键，1602液晶显示器组成显示电路提示信息， 其工作过程如下: 输入密码时，只逐位显示“*”，以防止密码泄露。 当需要更改密码时按下“设置密码”键，输入新密码，按下“确认”键结束。 开锁时当密码输入完毕按下“确认”键后，单片机将输入的密码与设定的密码比较，若密码正确，则锁码打开；若密码不正确，则提示密码错误。 2.单元模块设计 2.1 电子密码锁主要元件介绍 AT89S51是一个低电压，高性能CMOS 8位单片机，片内含4k bytes的可反复擦写的只读程序存储器（PEROM）和128 bytes的随机存取数据存储器（RAM），器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准MCS-51指令系统，片内置通用8位中央处理器和Flash存储单元，内置功能强大的微型计算机的AT89C51提供了高性价比的解决方案。 AT89S51是一个低功耗高性能单片机，40个引脚，32个外部双向输入/输出（I/O）端口，同时内含2个外中断口，2个16位可编程定时计数器，2个全双工串行通信口，AT89C51可以按照常规方法进行编程，也可以在线编程[1]。其将通用的微处理器和Flash存储器结合在一起，特别是可反复擦写的Flash存储器可有效地降低开发成本。 单片机主控电路的主要元件是AT89S51，其外型如图3。 图3 单片机AT89S51结构图 单片机AT89S51管脚说明： VCC：供电电压。GND：接地。 P0口：P0口为一个8位漏级开路双向I/O口，每脚可吸收8TTL门流。当P1口的管脚第一次写1时，被定义为高阻输入。P0能够用于外部程序数据存储器，它可以被定义为数据/地址的第八位。在FIASH编程时，P0 口作为原码输入口，当FIASH进行校验时，P0输出原码，此时P0外部必须被拉高。 P1口：P1口是一个内部提供上拉电阻的8位双向I/O口，P1口缓冲器能接收输出4TTL门电流。P1口管脚写入1后，被内部上拉为高，可用作输入，P1口被外部下拉为低电平时，将输出电流，这是由于内部上拉的缘故。在FLASH编程和校验时，P1口作为第八位地址接收。  P2口：P2口为一个内部上拉电阻的8位双向I/O口，P2口缓冲器可接收，输出4个TTL门电流，当P2口被写“1”时，其管脚被内部上拉电阻拉高，且作为输入。并因此作为输入时，P2口的管脚被外部拉低，将输出电流。这是由于内部上拉的缘故。P2口当用于外部程序存储器或16位地址外部数据存储器进行存取时，P2口输出地址的高八位。在给出地址“1”时，它利用内部上拉优势，当对外部八位地址数据存储器进行读写时，P2口输出其特殊功能寄存器的内容。P2口在FLASH编程和校验时接收高八位地址信号和控制信号。 P3口：P3口管脚是8个带内部上拉电阻的双向I/O口，可接收输出4个TTL门电流。当P3口写入“1”后，它们被内部上拉为高电平，并用作输入。作为输入，由于外部下拉为低电平，P3口将输出电流（ILL）这是由于上拉的缘故。P3口同时为闪烁编程和编程校验接收一些控制信号。P3口也可作为AT89C51的一些特殊功能口，如下所示： P3.0 RXD（串行输入口） P3.1 TXD（串行输出口） P3.2 /INT0（外部中断0） P3.3 /INT1（外部中断1） P3.4 T0（记时器0外部输入） P3.5 T1（记时器1外部输入） P3.6 /WR（外部