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前述公式的简单推导 对于长度为L的一维势阱,波长为: 波矢(波的矢量表示方法,其数量为波数|k|=2π/λ,而方向为波传播的方向)为: 复习: 激子 激子的概念首先是由Frenkel在理论上提出来的。 在半导体中,如果一个电子从满的价带激发到空的导带上去,则在价带内产生一个空穴,而在导带内产生一个电子,从而形成一个电子-空穴对。空穴带正电,电子带负电,它们之间的库仑吸引互作用在一定的条件下会使它们在空间上束缚在一起,这样形成的复合体称为激子。 当入射光的能量小于禁带宽度(ω Eg)时,不能直接产生自由的电子和空穴,而有可能形成未完全分离的具有一定键能的电子-空穴对,即:激子。 作为电中性的准粒子,激子是由电子和空穴的库仑相互吸引而形成的束缚态。激子形成后,电子和空穴作为一个整体在晶格中运动。激子是移动的,它不形成空间定域态。但是由于激子中存在键的内能,半导体-激子体系的总能量小于半导体和导带中的电子以及价带中的空穴体系的能量,因此在能带模型中的激子能级位于禁带内。 当半导体纳米微粒的粒径r?B(?B为激子玻尔半径: ?B=h2?/e2(1/me-+1/mh+),电子的平均自由程受小粒径的限制,局限在很小的范围,空穴很容易与它形成激子,引起电子和空穴波函数的重叠,容易产生激子吸收带。因此空穴约束电子形成激子的概率比常规材料高得多,导致纳米材料激子的浓度较高。颗粒尺寸越小,形成激子的概率越大,激子浓度就越高。这种效应称为量子限域效应。 由于上述量子限域效应,使得纳米半导体材料的能带结构中,靠近导带底形成一些激子能级,从而容易产生激子吸收带。右图中曲线1和2分别为掺了粒径大于10nm和5nm的CdSexS1-x的玻璃的光吸收谱,尺寸变小后出现明显的激子峰。 激子带的吸收系数随粒径的减小而增加,即出现激子的增强吸收并蓝移。 介电性 介电性dielectric property,dielectricity 在外电场作用下,不导电的物体,即电介质,在紧靠带电体的一端会出现异号的过剩电荷,另一端则出现同号的过剩电荷,这种现象称为电介质的极化。 如果将某一均匀的电介质作为电容器的介质而置于其两极之间,则由于电介质的极化,将使电容器的电容量比真空为介质时的电容量增加若干倍。物体的这一性质称为介电性,其使电容量增加的倍数即为该物体的介电常数,用以表示物体介电性的大小 CVD制备NTS: 在平放管式炉中放入作为反应器的石英管,将一瓷舟置于石英管中,瓷舟底部铺上一层薄薄的催化剂。反应混合气以一定速率通过催化床,温度为500~1000oC,反应时间由催化剂用量、混合气流速和反应温度而定。 反应中所用的催化剂一般为负载在硅胶或分子筛或石墨上的铁、钴、镍、铜、铬或它们的合金。 实验表明,用铁和钴作催化剂时制备的NTs含量高、质量好,尤其是钴更好。 影响因素:催化剂的选择,反应温度、时间,气流量等。碳纳米管的直径的大小依赖于催化剂颗粒的直径。 实验理想参数:温度为650℃~700℃,气体流量=10ml/min、N2=600ml/min,反应时间60min~70min,产率高达90 % 以上。 优点:有反应过程易于控制,设备简单,原料成本低,可大规模生产,产率高等优点。 缺点:反应温度低,碳纳米管层数多,石墨化程度较差,存在较多的结晶缺陷,对碳纳米管的力学性能及物理化学性能会有不良的影响。 4、其他方法 三、碳纳米管的结构 碳纳米管的径向尺寸较小,管的外径一般在几纳米到几十纳米;管的内径更小,有的只有1 纳米左右。而碳纳米管的长度一般在微米量级,长度和直径的比非常大,可达103~106,因此,碳纳米管被认为是一种典型的一维纳米材料。管壁由类石墨微晶的碳原子SP2杂化与周围三个碳原子完全键合而成的六边形碳环构成。碳纳米管的弯曲部位是由五边形和七边形的碳环组成的。当六边形逐渐延伸出现五边形时碳纳米管就会凸出,七边形出现则会使其凹进。如果五边形出现在碳纳米管的顶端则成为碳纳米管的封口。 多壁碳纳米管(Multi-walled nanotubes, MWNTs):含有多层石墨烯片。形状象个同轴电缆。其层数从2~50不等,层间距为0.34±0.01nm,相当于石墨的[0002]面间距(石墨层间距0.335nm)。多壁管的典型直径和长度分别为2~30nm和0.1~50μm,层与层之间的排列是无序的。 多壁碳纳米管一般由几个到几十个单壁碳纳米管同轴构成,可以有直形、弯形、螺旋等不同外形。多壁管在开始形成的时候,层与层之间很容易成为陷阱中心而捕获各种缺陷,因而多壁管的管壁上通常布满小洞样的缺陷。 单壁碳纳米管(Single-walled nanotubes, SWNTs):由一层石墨烯片组成。单壁管典型的直径和长度分别为0.75~3nm和1
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