第01章硅基础重点分析.pptVIP

第一章 Si的晶体结构 第一章 Si的晶体结构 第一章 Si的晶体结构 单晶Si（Single Crystal Silicon——c-Si） 由单一晶格周期性重复排列构成的晶体结构 多晶Si（Polycrystalline Silicon——poly-Si） 由很多具有不同晶向的晶粒无规则堆积而成，晶粒内部是单晶结构，而晶粒之间为无序的晶粒间界。 非晶Si（Amorphous Silicon——α-Si） 短程有序而长程无序的无规则网络结构。 第一章 Si的晶体结构 多孔硅（Porous Silicon-PS） 用电化学方法制备的，具有一定数量和尺寸孔洞的新形态Si材料。首次实现了室温的Si基材料光发射。 纳米晶Si薄膜（Nanocrystalline Silicon Films——nc-Si） 由大量纳米级晶粒和包围这些晶粒的界面组成的纳米结构 Si量子点（Silicon Quantum Dots——Si-QD） 尺寸为几个纳米的，具有三维量子限制效应的结构。 第一章 Si的晶体结构 §1.1 Si晶体结构的特点 本节通过介绍晶体学上的几个概念来了解Si晶体的结构特点。 晶格 任一晶体都可以看成由质点（原子、分子、离子）在三维空间中按一定规则做周期性重复排列所构成的。晶体的这种周期性结构称为晶体格子，简称晶格。见书p1图1.1。 晶格是重复的格子，不一定是立方体。 §1.1 Si晶体结构的特点 晶胞 定义：能够最大限度地反映晶体立方对称性质的最小重复单元。 晶胞不一定是晶体中最小的重复单元，但是它是能反映晶体结构的立方对称性的最小重复单元。 晶体中的最小重复单元称为原胞。 立方晶系中，晶格即晶胞=原胞。但其他晶系却不一定。 §1.1 Si晶体结构的特点 Si的晶胞 由面心立方单元中心到顶角引八条对角线，在其中不相邻的四条线的中点各加一个原子，即为Si的晶胞结构。金刚石结构。 还可以认为是两个重叠在一起的面心立方晶格沿体对角线位移四分之一长度套构而成。 §1.1 Si晶体结构的特点 晶格常数 立方晶胞的边长为a，称为晶格常数。 故，虽然Si、Ge、金刚石有相同的晶格结构，但由于组成的原子不同，晶格常数也是不同的。 300K时， §1.1 Si晶体结构的特点 原子密度 定义： Si、Ge每个晶胞所含的原子数为 Si、Ge的原子密度为 Si：5×1022/cm3,Ge：4.4×1022/cm3 §1.1 Si晶体结构的特点 共价四面体 在Si、Ge晶体中，每一个原子都有4个最近邻的原子，它们处在四面体的4个顶角上。 原子之间是共价键，构成一个四面体形状。 键角=109°28′ 键长= §1.1 Si晶体结构的特点 Si晶体内部的空隙 Si晶体的内部不是全部被Si原子填满的，而是存在相当大的“空隙”。 晶体的空间利用率 §1.1 Si晶体结构的特点 晶体中有很大的“空间”，可以为Si或其它杂质原子在Si晶体内部的运动提供条件。 空间主要是晶胞内部没被Si原子占据的另外4条线。 §1.2 晶向、晶面和堆积模型 §1.2.1 晶向 定义 对于任何一种晶体来说，晶格中的原子总可以被看作是处在一系列方向相同的平行直线系上，这种直线系称为晶列。晶体的许多性质都同晶列方向有关，故实际工作中就要对不同晶列方向有所标记。 通常用“晶向”来表示一族晶列所指的方向。 §1.2 晶向、晶面和堆积模型 晶向的表示法 以晶胞为基础，建立笛卡尔坐标系来描述晶向。 以晶胞的某一个格点作为原点，立方体的三个边作为基矢x,y,z，则其他所有格点的位置可由基矢L来表示。 §1.2 晶向、晶面和堆积模型 任何一个晶向，可由连接晶列中相邻格点的矢量A表示。 m1，m2，m3为互质的整数，若三者不互质，那么表明在这条线上，这两个格点之间一定还包括其他格点。 实际上，只用这三个互质整数来标记晶向，写作[m1,m2,m3]，称为晶向指数。 §1.2 晶向、晶面和堆积模型 由于晶胞是立方对称的，所以虽然晶向的方向不同，但其性质毫无差别，这些晶向称为等价方向，可用m1,m2,m3来统一表示。 例如[100]，[010]，[001]，[-100]，[0-10]，[00-1]为等价方向，可统一表示为100。 §1.2 晶向、晶面和堆积模型 原子线密度 定义：单位晶向长度内的原子数。 计算 100: 110: 111: 作业 单晶Si、非晶Si、多晶Si的概念。 金刚石结构描述。 Si晶格常数、原子密度、空隙率。 §1.2 晶向、晶面和堆积模型 § 1.2.2 晶面 定义 晶格中的所有原子不但可以看作是处于一系列方向相同的平行直线上，而且也可以看作是处于一系列彼此平行的平面系上，这种平面系称为晶面。 标记 晶面指数（密勒指数） 不同晶面上的原子排列情况一般是不同的，所以不同的