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绪 论 电力电子技术是电力、电子和控制技术相结合的边缘学科，自1958年第一个工业用普通晶闸管诞生以来，电力电子技术有了很大的发展，由各种电力电子器件组成的功率变换装置应用于从航空航天到家用电器的各个领域。 绪 论 电力电子设备发展的特点是： （1）微机和现代控制理论的应用，使电力电子设备走出了过去仅进行将交、直流变换用做一般工业直流电源的初级阶段，开拓了高科技领域的应用。 （2）完善的电路理论及新的设计方法，使产品性能更先进、更符合生产实际的需要。 绪 论 （3）微电子技术与电力电子技术开始相互渗透结合，使电力电子设备效率提高、速度更快、使用更方便。 （4）电路拓扑技术和结构标准化加快了新产品的开发步伐。 绪 论 交流电路是以电力半导体器件为核心，通过不同电路的拓扑和控制方法来实现对电能的转换和控制。它的基本功能是使交流（AC）和直流（DC）电能互相转换。它有以下几种类型： 绪 论 （1）可控整流器AC/DC。把交流电压变换成固定或可调的直流电压。 （2）有源逆变器DC/AC。把直流电压变换成为频率固定或可调的交流电压。 （3）变频器AC/AC。把频率固定或变化的交流电变换成频率可调或固定的交流电。 （4）直流斩波器DC/DC。把固定或变化的直流电压变为可调或固定的直流电压。 绪 论 总之，由于电力半导体器件制造技术的发展，主电路结构和控制技术的开发，以及设备应用技术的开发，使电力电子技术在大功率整流、直流传动、交流传动、直流输电、功率变换、晶闸管电源、电力电子开关等方面的应用日益扩大。 第1章　晶闸管概述 晶闸管是指具有三个以上的PN结，其主电压——电流特性至少在一个象限内具有导通、阻断两个稳定状态，且可在这两个稳定状态之间进行转换的半导体器件。 第1章　晶闸管概述 晶闸管是由多种器件组成的家族，而被广泛使用的普通晶闸管则是这个家族中的一员，俗称可控硅整流器（SCR，Silicon Controlled Rectifier），简称可控硅，其规范术语是反向阻断三端晶闸管。 第1章　晶闸管概述 1.1 晶闸管的结构和工作原理 1.2 晶闸管的特性 1.3 晶闸管的主要参数 1.4 双向晶闸管 1.5 功率晶体管 1.6 功率场效应晶体管 1.7 绝缘栅双极晶体管 1.1 晶闸管的结构和工作原理 1956年美国贝尔 实验室发明了晶闸管。 1957年美国通用电气公司开发出第一只晶闸管产品。 1958年商业化。 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代。 20世纪80年代以来，开始被全控型器件取代。 1.1.1　晶闸管的结构 1.1.1　晶闸管的结构 外形有螺栓型和平板型两种封装。 有三个联接端。 螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器紧密联接且安装方便。 平板型晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。 常用晶闸管的结构 1.1.2　晶闸管的工作原理 1.1.2　晶闸管的工作原理 归纳以上实验结果，可见： 1) 晶闸管导通的条件 阳极加正向电压，同时门极加合适的正向触发电压。 2) 晶闸管关断的条件 使流过晶闸管的阳极电流小于维持电流或突加反向电压。 3) 晶闸管的特点 ① 单向导电性； ② 属半控型半导体器件； ③ 属电流控制器件。 1.1.2　晶闸管的工作原理 1.1.2　晶闸管的工作原理 S闭合前：IG=0→Ib2=0→Ic2=0→Ib1=0→Ic1=0 ，三极管V1和V2均处于截止状态，晶闸管处于正向阻断状态。 开关S闭合，则外电路向门极注入电流IG，也就是注入驱动电流，该电流最初就是晶体管V2的基极电流Ib2，即产生集电极电流Ic2，它又是晶体管V1的基极电流，经V1放大后产生集电极电流Ic1，而Ic1此时等于β1β2Ib2，比最初的驱动电流IG大了许多。使V2的基极电流进一步增大，如此形成强烈的正反馈，最后V1和V2完全进入饱和状态，即晶闸管导通。 1.2.1　晶闸管的阳极伏安特性 1.2.1　晶闸管的阳极伏安特性 1) 正向伏安特性 晶闸管在门极开路(IG=0)的情况下，在阳极与阴极间施加一定的正向阳极电压，器件也仍处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 外加的阳极正向电压在其转折电压以下时，只要在门极注入适当的电流(一般为毫安级)，器件也会立即进入正向导通状态 。 1.2.1　晶闸管的阳极伏安特性 2) 反向伏安特性 晶闸管承受反向阳极电压时，由于J1、J3结处于反向偏置状态，晶闸管流过的电流仅由各区少数载流子形成，只有极小的反向漏电流通过，这就是器件的反向阻断状态。 随着反向电压的增加，穿过J2结的少数载流子稍有增加，反向漏电流逐渐增大。 1.2.2　晶闸管的门极伏安特