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2. 半导体的电学性能 2.2 杂质半导体的电学性能 五价元素称为施主杂质;ED施主能级;(EC-ED)施主电离能 n型半导体中,自由电子浓度大,自由电子称为多数载流子(多子);空穴称为少子 在电场作用下,以电子导电为主(电子型半导体) 电流密度 电阻率 2. 半导体的电学性能 2.2 杂质半导体的电学性能 二、p型半导体 掺入三价杂质元素:硼、铝、镓、铟,空穴浓度增加 多余一个空位置,其它同n型半导体 电流密度 电阻率 特点(与本征半导体相比) 掺杂浓度虽小,但载流子浓度大大提高,导电能力大大提高 掺杂只是使一种载流子浓度提高,主要靠多子导电 2. 半导体的电学性能 2.2 杂质半导体的电学性能 p型半导体结构 p型半导体能带图 3. 绝缘体的电学性能 3.1 绝缘体的介电性能 一、极化的基本概念 现象: 1、在真空平行板电容器电极间 嵌入介质 2、在电极之间加外电场 3、介质表面会感应出电荷 4、正极板附近:负电荷 负极板附近:正电荷 5、电荷不会跑到极板上形成电 流(束缚电荷) 极化:介质在电场作用下 产生感应电荷的现象,这 类介质称为电介质 电介质极化示意图 3. 绝缘体的电学性能 3.1 绝缘体的介电性能 特点 组成介电质的粒子(原子、分子和离子)可分为非极性与极性 非极性介质粒子:在没有外加电场作用时,正负电荷中心重合,对外不显示极性;在外加电场作用时粒子的正电荷沿电场方向移动,负电荷沿逆电场方向移动,形成电偶极矩 极性介质粒子:存在电偶极矩,没有外加电场时,电偶极矩随机排列,整个电介质呈电中性,有外加电场时,电偶极矩有转向外电场方向的趋势 当外电场取消后,介质表面的束缚电荷消失 3. 绝缘体的电学性能 3.1 绝缘体的介电性能 粒子极化率:单位电场强度下,介质粒子的电偶极矩的大小 表示: 式中:Eloc-作用在粒子上的局部电场,与宏观外电场不同 μ-电偶极矩 α-极化率,表征材料的极化能力,与材料性质有关 单位为F.m2 (法.米2) 3. 绝缘体的电学性能 3.1 绝缘体的介电性能 极化强度:电介质单位体积内电偶极矩的矢量和 可表示为 式中:n0-单位体积中的偶极子数; -偶极子的平均电偶极矩 单位为库仑/米2 (C/m2) 对于线性极化 有 所以 3. 绝缘体的电学性能 3.1 绝缘体的介电性能 二、极化的基本形式 1:位移极化 1)电子位移极化 在外加电场作用下,原子外围的电子云相对于原子核发生位移而形成的 极化 该模型可看成一个弹性束缚电荷在作强迫振动,根据弹性振动理论,可 证明该粒子电子位移极化的极化率为 在交变电场作用下时 静态极化率(ω→0) 介质极化: 1)电子极化 2)离子极化 3)偶极子转向极化 ω: 振动频率 ω0:弹性偶极子 的固有频率 3. 绝缘体的电学性能 3.1 绝缘体的介电性能 2)离子位移极化 点阵节点上的正负离子在E 作用下,发生相对位移而引起的 极化,离子的位移受弹性恢复力限制 在交变电场作用下时 静态极化率(ω→0 ) 3. 绝缘体的电学性能 3.1 绝缘体的介电性能 2、松弛极化 特点 既要考虑电场的作用,又要考虑粒子的热运动 材料中存在弱联系电子、离子和偶极子等松弛粒子 热运动使松弛粒子分布混乱,电场使松弛粒子按电场分布,在一定温度下发生极化 粒子需要克服势垒才能移动,是一个不可逆过程,伴随有能量的损耗 3. 绝缘体的电学性能 3.1 绝缘体的介电性能 1)电子松弛极化 由弱束缚电子引起 晶格热振动、晶格缺陷、杂质、化学成分的局部变化等,都能使电子能态发生变化,出现位于禁带中的局部能级,形成弱束缚电子 晶格热振动时,吸收一定能量由较低的局部能级跃迁到较高的能级(激发态),由一个结点转移到另一个结点 外加电场使弱束缚电子运动具有方向性,形成了极化 3. 绝缘体的电学性能 3.1 绝缘体的介电性能 2)离子松弛极化(和粒子的热运动有关) 由弱联系离子产生 在玻璃态材料、结构松散的离子晶体以及晶体的缺陷和杂质区域,离子能量较高,易被活化迁移,这些能量较高的离子称为弱联系离子 弱联系离子的极化可以从一个平衡位置到另一个平衡位置 去掉电场后,离子不能回到原来的平衡位置(不可逆迁移) 离子松弛极化和离子电导不同,它仅作有限距离的迁移,只能在结构松散区或缺
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