第九器件的驱动.ppt

电力电子器件器件的驱动 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述 9.1.2 晶闸管的触发电路 9.1.3 典型全控型器件的驱动电路 电力电子器件驱动电路概述 驱动电路—主电路与控制电路之间的接口 性能良好的驱动电路，可使电力电子器件工作在较理想的开关状态。（缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率，可靠性和安全性都有重要意义。 器件的驱动电路除完成驱动功能外，往往还完成故障保护和电气隔离。 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述 驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。 ?光隔离一般采用光耦合器,用于数十kHz以下 ?磁隔离的元件通常是脉冲变压器,最高可达几MHz 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述 按照驱动信号的性质分，可分为电流驱动型和电压驱动型。 驱动电路具体形式可为分立元件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路。 双列直插式集成电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。 为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。 晶闸管的触发电路 晶闸管触发电路的作用是产生符合要求的门限触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。晶闸管触发电路满足下列要求： 晶闸管的触发电路 可控硅常见触发驱动电路： b1端高电平—V1通-?V2导通—脉冲变压器初级电流通过—脉冲变压器次极感应电压（上正下负）—VD2导通—通过R4限流输出正脉冲 b1端低电平—V1截止—V2截止—电磁脉冲变压器初级经过R3和VD1，构成反方向电流通过—脉冲变压器次极感应电压（上负，下正）—VD2截止—无脉冲输出 典型全控型器件的驱动电路 GTR是电流驱动型器件 导通GTR的基极驱动电流应使其处于准饱和导通状态，使之不进入放大区或深饱和区。 关断GTR时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间加一个负偏压（6V左右） 图9-7是一种典型的GTR基极驱动电路。图中VD2和VD3构成贝克钳位电路，可使GTR处于临界饱和导通。图中C2为开通加速电容。 电路分析： A端高电平——光耦通电流——V2导通——V3截止——V4通——V5通，V6截止——通过C2，R5在GTR基极加入脉冲电流 A端低电平——光耦不通——V2截止——V3导通——V4，V5截止——V6导通——通过VD4，R5，GTR基极反向抽流，加速GTR截止 典型全控型器件的驱动电路 2. 电压驱动型器件的驱动电路 电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件 电力MOSFET和IGBT的栅射极之间都有数百至数千皮法的极间电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电路具有较小的输出电阻。 MOSFET栅极驱动电压一般取10-15V。IGBT取15-20V 关断时施加一定幅值的负驱动电压（-5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 在栅极串入一只低值电阻可以减小寄生振荡。 典型全控型器件的驱动电路 图中A为高速放大器，V2和V3构成图腾柱输出驱动电路。背靠背反串稳压管用于MOSFET门极保护。 工作原理分析如下： Ui无信号——V1截止——放大器A输出负电平——V3通——MOSFET栅极反向抽流，加速关断 Ui有信号——光耦通——V1通——放大器输出正电平——V2通——+Vcc-V2-RG构成通路向MOSFET栅极充电，加速MOSFET导通 实际应用如功率器件的用量较大或可靠性要求较高，可选用集成驱动电路 如驱动GTR的有：THOMSON的UAA4002，三菱公司的M57215BL 驱动MOSFET的有：三菱公司的M57918L，IR的IR2110 驱动IGBT的有：三菱公司的M57962L和M57959L，富士公司的EXB840，EXB841等等。 电力电子器件器件的保护 9.2.1 过电压的产生及过电压保护 9.2.2 过电流保护 9.2.3 缓冲电路（Snubber Circuit） 过电压的产生及过电压保护 过电压的产生分外因过电压和内因过电压两类: 1.外因过电压：a. 操作过电压 b．雷击过电压 2.内因过电压：a. 换相过电压 b. 关断过电压 过电压的产生及过电压保护 电力电子装置可能的过电压——外因过电压和内因过电压 外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因 (1) ? 操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起