第三章材料的输运性质能带理论重点分析.pptVIP

3.1 能带理论 3.2 半导体 3.3 超导体 3.4 快离子导体 3.1能带理论 共有化运动——在晶体结构中，大量的原子按一定的周期有规则的排列在空间构成一定形式的晶格。如果原子是紧密堆积的，原子间间距很小。晶体中原子能级上的电子不完全局限在某一原子上，可以由一个原子转移到相邻的原子上去，结果电子可以在整个晶体中运动。 电子共有化的原因：电子壳层有一定的交叠，相邻原子最外层交叠最多，内壳层交叠较少。 原子彼此接近时的能级图并说明 一、半导体的晶体结构 1. 金刚石型结构 2. 闪锌矿型结构 3. 纤锌矿型结构 1 半导体光导电性 长期以来将固体分为：晶体和非晶体。 晶体的基本特点： 具有一定的外形和固定的熔点，组成晶体的原子 （或离子）在较大的范围内（至少是微米量级）是 按一定的方式有规则的排列而成——长程有序。 非晶：无规则的外形和固定的熔点，内部结构也不存在长程有序，但在若干原子间距内的较小范围内存在结构上的有序排列——短程有序 （如非晶硅：a-Si） 在非晶硅材料中包含大量的悬挂键、空位键等缺陷，因而又很高的缺陷态密度，他们提供了电子和空穴的复合场所，所以一般非晶硅是不适合作电子器件的。 1975年斯皮尔等人用硅烷分解沉积法制得非晶态硅薄膜。由于在该膜中含有大量的氢，使许多悬挂键被氢化。致使缺陷态密度降低。并且成功地实现对非晶硅材料的n型和p型掺杂 导带 价带 杂质能级 光辐射 杂质半导体中，缺陷的能级在价带和导带之间的能隙之中。当材料受到光照时，缺陷能级上的电子空穴发生跃迁。从而使导带中出现电子，来参与导电。 2 半导体的光致发光： 是指在外来激发光作用下，物体将吸收的能量以光子形式再发射而产生发光的现象。 在半导体的光致发光现象中，存在着三个过程， 1 光吸收，半导体中的电子吸收一定能量的光子后，由基态跃迁至激发态，从而在一定能级上产生非平衡载流子； 能量传递过程，既上述非平衡载流子通过晶格弛豫的方式到达较低能级进行电子一空穴对复合； 发光，通过复合辐射的光子一部分从样品表面辐射出来，发出一定颜色的光。 四 非晶半导体 晶体又可分为：单晶和多晶 单晶：指整个晶体主要由原子(或离子)的一种规则 排列方式 所贯穿。常用的半导体材料锗 (Ge)、硅(Si)、砷化镓 (GaAs)都是单晶。 多晶：是由大量的微小单晶体（晶粒）随机堆积成 的整块材料，如各种金属材料和电子陶瓷材料。 非晶、 多晶 单晶 多晶 单晶 非晶半导体材料 与晶态半导体材料相比，非晶态材料的原子在空间排列上失去了长程有序性，但其组成原子也不是杂乱无章排布的，由于受到化学键，特别是共价键的约束，有几个原子在为小范围内小区域内有着与晶体相似的结构特征。 所以对非晶材料的结构描述：长程无序，短程有序。 天津理工大学 * 第三章 材料的输运性质 本 章 内 容 + 原子的能级（电子壳层） + + 1 共有化运动： + + + + + + + 原子结合成晶体时晶体中电子的共有化运动 + N个原子逐渐靠近 能带（允带）——固体中若有N个原子，每个原子内的电子有相同的分立的能级，当这N个原子逐渐靠近时，原来束缚在单原子中的电子，不能在一个能级上存在，从而只能分裂成N个非常靠近的能级，因为能量差甚小，可看成能量连续的区域，称为能带。 禁带——允带之间没有能级的带。 1.原子间距较大时，原子中的电子处于分立的能级； 2.随着原子间距变小，每个分立的能级分裂成N个彼此 相 隔小的能级，形成能带； 3.随着原子间距变小,能级分裂首先从外壳层电子开始（高能级），内壳层电子只有 原子非常接近时才发生 能级分裂； 4.内壳层电子处于低能级，电子共有化运动弱，分裂成的能级窄；外壳层电子处于高能级，共有化运动显著，能级分裂的能带很宽； 5.能带的宽度由晶体性质决定，与晶体大小（晶体包含的原子数N）无关，N越 大，能带中的能级数增加，但能带宽度不会增加，只是能级的密集程度增加； 6.能带的交叠程度与原子间距有关，原子间越小，交叠程度越大； 7. 在平衡间距处，能带没有交叠。 严格周期性势场 （周期排列的原子核势场及大量电子的平均势场） 本身原子核及其他 电子的作用 不受任何电 荷作用（势场为零） 晶体中的电子 孤立原子中的电子 自由电子 单电子近似理论：为了研究晶体中电子的运动状态，首先假定固体中的原子实固定不动，并按一定规律作周期性