平板电容式反应离子刻蚀机RIESI591和去胶清洗设备价格.docx

『润联网』 登录【润联网】查询价格登录“润联网” 可查找底价 平板电容式反应离子刻蚀机RIESI591和去胶清洗设备价格 标题:离子刻蚀机和等离子表面处理系统COVANCE-MP参数库号：JX164067 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数： 离子蚀刻机 20-M / NS-12适合大规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径 4英寸 X 12片 直径 18英寸 X 3片样品台直接冷却离子源20cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。标题:平板电容式反应离子刻蚀机RIESI591和等离子表面处理系统COVANCE-MPR参数库号：JX164068 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数： 离子蚀刻机 10-M / NS-5:适合小规模量产使用和实验室研究基片尺寸直径 6英寸 X 1片样品台直接冷却，单独冷却离子源10cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。标题:小型等离子增强PECVD沉积设备和等离子表面处理系统PlasmaWideFlux-S价格库号：JX164069 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数： 仪器简介：在过去的几年中，半导体器件和IC生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为了追求晶片更高的运算速度与更高的效能，三十多年来，半导体产业遵循著摩尔定律（Moore’s Law）：每十八个月单一晶片上电晶体的数量倍增，持续地朝微小化努力。为继续摩尔定律，在此期间，与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展，科学家提出各种解决方案如：图形曝光（光刻）技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术等。其中，图形曝光技术（微影术）是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。 电子束曝光系统（electron beam lithography, EBL）是一种利用电子束在工件面上扫描直接产生图形的装置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近，美国JC Nabity Lithography Systems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置（Nanometer Patt标题:等离子表面处理系统CUTE-MPR和等离子表面处理系统CUTE-MP价格库号：JX164070 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数： 离子蚀刻机 20-M / NS-8NS适合中等规模量产使用的离子刻蚀机基片尺寸直径 3英寸 X 8片 直径 4英寸 X 6片基台直接冷却样品台20cm 考夫曼离子源电源可更换为国内电源离子蚀刻机主要优点：1. 干式制程的微细加工装置，使得在薄膜磁头，半导体元件， MR sensor 等领域的开发研究及量产得以广泛应用。2. 物理蚀刻的特性，无论使用什么材料都可以用来加工，所以各种领域都可以被广泛应用。3. 配置使用美国考夫曼公司原装制造的离子源。4. 射频角度可以任意调整，蚀刻可以根据需要做垂直，斜面等等加工形状。5. 基板直接加装在直接冷却装置上，所以可以在低温环境下蚀刻。6. 配置公转自转传输机构，使得被蚀刻物可以得到比较均匀平滑的表面。7. 机台设计使用自动化的操作流程，所以可以有非常友好的使用生产过程。标题:去胶清洗设备和微纳米压印设备价格库号：JX164071 价格：百度搜【润联网】查询主要技术参数： 传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩模板需要由专业供应商提供，但是