第5章 光刻技术.pptVIP

顶部 抗反射涂层 临近效应 （4）曝光后烘烤 曝光后的wafer需要进行短时间的烘烤（PEB），其 目的是提高光刻胶的粘附性和减少驻波。烘烤的温度均匀性 和时间是影响光刻胶的重要因素。 烘烤有两个作用，一是减少了光刻胶中溶剂的含量，从 曝光前的7%～4%减少到5%～2%。其最大的好处是减 少了驻波的影响，由于高温导致感光剂在光刻胶中扩散，使 得曝光区与非曝光区的边界变得比较均匀。 5.显影 显影就是用显影液溶解掉不需要的光刻胶，将掩膜版上 的图形转移到光刻胶上。常见的显影问题有显影不足、不完 全显影 以及过 显影三 种。 （1）显影方法 显影主要有连续喷雾式显影和旋涂浸没式显影两种方 法。连续喷雾式显影类似光刻胶的喷涂法，其优点是无污 染，但均匀度较差，而且显影液的用量比较大。近年来，已 逐渐被旋涂浸没式显影法所代替。旋涂与喷雾式使用的基本 设备相同。不同的是喷涂到wafer上的显影液会停留足够的 时间。旋涂浸没式显影使用很少的显影液，而且由于每片 wafer都使用新的显影液，所以，wafer间的均匀性很高。 喷 雾 式 显 影 （2）工艺参数 在显影工艺中，下列几 个关键工艺参数必须严加控 制：显影温度、显影时间、 显影液剂量、清洗、排风、 Wafer吸盘稳定性。 6.坚膜 坚膜就是对显影后的基片