第5章 硅外延生长.pptVIP

* P型杂质的主要来源是SiCl4,金刚砂磨料,基座和系统的沾污,只要提高SiCl4纯度及做好外延前清洁处理就可以解决。这主要是高温下，硼在硅中的扩散比锑快 * 目前对它们的认识和研究有的比较清楚，有的还不很清楚。下面分别加以介绍。 表面缺陷根据其形状.尺寸.构造.成因不同分为许多种，名称也不统一，现将几种常见的缺陷介绍如下： * 另外如系统不洁净带入些圆球形杂质。它们滚落到生长表面上也会形成有头有尾的划痕。 * 层错：晶体中某些地方原子按层排列的次序发生了错乱而引起。 * 由外延层横截面可以看出 这个关系在生产上可用来做外延层厚度的估算。 * 可是层错密度减少到102cm-2以下。这是消除层错最有效的方法。 * 当这两种杂质原子掺入的比例适当时，可以使应力相互得到补偿，减小或避免发生晶格畸变。 * 结果使外延层中有害杂质和微缺陷减少，器件的成品率得到提高，电学参数大大改善。 * 在本节简要的介绍这两种技术。 衬底对外延层的沾污； * * 自掺杂效应：衬底中的杂质进入气相中再掺入外延层。 * * 双栅SOI,降低短沟道效应，适合小尺寸器件;两个栅共同控制沟道呀 ;可以有效抑止漏端电力线向沟道区中穿透 * * Si是间接带隙材料，Eg一定，使它在光电领域的应用受到限制，近年来开展了在Si衬底上外延生长SiGe和III-V族化合物材料及器件制作的研究，取得了相当大的进展形