光电子能谱与俄歇电子能谱.ppt

与XPS相比，俄歇电子能谱虽然存在能量分辨率较低的缺点，但却具有XPS难以达到的微区分析优点。 以上几种分析方法都可进行点、线、面分析。 点分析可以给出电子束束斑大小范围内表面元素的组成，并可根据谱峰的形状变化来判晰有无化学位移，了解其相应的化学状态。 通过分析器的能量值固定于某种元素的俄歇峰时，使入射电子束沿试样表面作一维(线)或二维（面）扫描时，便可得到该元素在表面沿该线或扫描区城内的分布图像，二维的面分布常称俄歇图。 Auger电子谱的二维成分分析 Auger电子谱的二维成分分析 AugerAuger电子谱的一维成分分析 成分深度分布分析 三、 俄歇电子能谱分析的应用 俄歇电子能谱法是材料科学研究和材料分析的有力工具，它具有如下特点： 1）作为固体表面分析法，其信息深度取决于俄歇电子逸出深度（电子平均自由程）。对于能量为50eV-2keV范围内的俄歇电子，逸出深度为0.4-2nm，深度分辨率约为l nm,，横向分辨率取决于入射束斑大小。 2）可分析除H、He以外的各种元素。 3）对于轻元素C、O、N、S、P等有较高的分析灵敏度。 4）可进行成分的深度剖析或薄膜及界面分析。 在材料科学研究中，俄歇电子能谱的应用有： 1）材料表面偏析、表面杂质分布、晶界元素分析； 2）金属、半导体、复合材料等界面研究； 3）薄膜、多层膜生长机理的研究； 4）表面的力学性质 （如摩擦、磨损、粘着、断裂等）研究； 5）表面化学过程（如腐蚀、钝化、催化、晶间腐蚀、氢脆、氧化等）研究； 6）集成电路掺杂的三维微区分析； 7）固体表面吸附、清洁度、沾染物鉴定等。 1．压力加工和热处理后的表面偏析 含Ti仅0.5（质量分数）的18Cr-9Ni不锈钢热轧成0.05 mm厚的薄片后，俄歇谱仪分析发现，表面Ti的浓度大大高于它的平均成分。 随后，把薄片加热到998K和1118K，Ti的偏析又稍有增高； 当温度提高到1373 K时，发现表面层含Ti竟高达40（摩尔分数）左右。 进一步加热到1473 K，表面含Ti量下降，硫浓度增高，氧消失，而镍、磷和硅出现。 成分为60Ni-20Co-l0Cr-6Ti-4A1的镍基合金，在真空热处理前后表面成分很不相同。 热处理后，表面Al的浓度明显增高，而其它基体元素（Ni、Co、Cr等）的俄歇峰都很小，离子轰击剥层30nm左右后，近似成分为Al2O3。 这表明，如果热处理时真空较差，表面铝的扩散和氧化将生成相当厚的氧化铝，可能导致它与其它金属部件焊接时发生困难。 2．金属和合金的晶界脆断 钢在550?C左右回火时的脆性、难熔金属的晶界脆断、镍基合金的硫脆、不锈钢的脆化敏感性、结构合金的应力腐蚀和腐蚀疲劳等等，都是杂质元素在晶界偏析引起脆化的典型例子。 引起晶界脆性的元素可能有S、P、Sb、Sn、As、O、Te、Si、Pb、Se、CI、I等，有时它们的平均含量仅为10-6-10-3，在晶界附近的几个原子层内浓度竟富集到10-104倍。 为了研究晶界的化学成分，必须在超高真空样品室内用液氮冷却的条件下，直接敲断试样，以便提供末受玷污的原始晶界表面供分析。 晶间断裂的晶界表面俄歇谱见图。在脆性状态（曲线2），锑（Sb）的浓度比平均成分高二个数量级。 图 合金钢（C-0.39%、Ni-3.5%、Cr-1.6%、Sb-0.06）的俄歇电子能谱曲线 在不脆的状态，晶界上末检测到Sb的俄歇峰，如曲线1 氢离子轰击剥层0.5 nm以后，锑的含量即下降5倍左右，说明脆性状态下它的晶界富集层仅为几个原子层的厚度。 3．表面扩散研究 俄歇电子能谱具有很高的表面灵敏度和空间分辨率，非常适合于表面扩散过程的研究。下图是在单晶硅基底上制备的Ag-Au合金的俄歇线扫描分布图。 图 Ag-Au合金的俄歇线扫描图 Ag、Au薄膜线的宽度约为250?m，Ag、Au分布均匀。在电场作用下，Ag沿电场方向迁移，而Au则逆电场方向迁移。 原始 处理后 3．平均自由程与平均逃逸深度 俄歇电子的强度还与俄歇电子的平均自由程有关。因为在激发过程产生的俄歇电子在向表面输运过程中，俄歇电子的能量由于弹性和非弹性散射而损失，最后成为二次电子背景。而只有在浅表面产生的俄歇电子才能被检测到，这也是俄歇电子能谱应用于表面分析的基础。 逃逸出的俄歇电子的强度与样品的取样深度存在指数衰减的关系：