电力电子复习试卷-含答案.docVIP

诚信应考,考试作弊将带来严重后果！ 华南理工大学期末考试 《电力电子技术基础》试卷 注意事项：1. 考前请将密封线内填写清楚； 2. 所有答案请直接答在试卷上(或答题纸上)； 3．考试形式：闭卷； 4. 本试卷共 大题，满分100分， 考试时间120分钟。 题 号 一 二 三 四 五 总分 得 分 评卷人 选择题（单选，共10分） 1．关于绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，下面说法错误的是( A ) A．IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大 B．IGBT是由MOSFET和GTR复合而制成的 C．IGBT工作在开关状态时，是在正向阻断区和饱和区之间转换 D．开关频率介于GTR和MOSFET之间 2．三相半波可控整流电路，在电阻性负载时，其移相范围是( C ) A．90° B．120° C．150° D．180° 3．单相桥式全控整流电路中，由于变压器漏感造成的换流压降为( A ) A． B． C． D． 4．下列电路中，不可以实现有源逆变的是( B ) A．单相双半波可控整流电路 B．单相桥式半控整流电路 C．单相桥式全控整流电路 D．三相