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四种典型全控型 器件的比较 四种典型全控型器件的比较 对四种典型全控型器件的介绍 1、GTO) 1）GTO的结构与工作原理 芯片的实际图形 GTO结构的纵断面 GTO结构的纵断面 图形符号 GTO的内部结构和电气图形符号 2）(2较大，使晶体管V2控 制灵敏。导通时(1+( 2= 1.05更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。 多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。下图为工作原理图。 2222 2、(GTR) 1） 内部结构 电气图形符号 NPN型电力晶体管的内部结构及电气图形符号 2） 在电力电子技术中，GTR主要工作在开关状态。晶体管通常连接成共发射极电路，GTR通常工作在正偏(Ib＞0Ib＜0 1）电力MOSFET的结构 MOSFET元组成剖面图 图形符号 电力MOSFET采取两次扩散工艺，并将漏极D移到芯片的另一侧表面上，使从漏极到源极的电流垂直于芯片表面流过，这样有利于减小芯片面积和提高电流密度。 2) 电力MOSFET的工作原理： 当漏极接电源正极，源极接电源负极，栅源极之间电压为零或为