MOS常用半导体器件概要.pptVIP

* * * 渡跃时间是栅极加上阶跃电压使沟道导通，漏极电流上升到导通栅压所对应的稳恒值所需的时间。 * 不考虑寄生电容。 * * * * * * * * * * * * * 第四章 常用半导体器件 4.5 结型场效应晶体管 * 一、能带关系 1、功函数 4.5.1 金属-半导体接触 势垒接触 欧姆接触 金属 半导体 * 2、金属-半导体接触能带结构 金属-半导体接触电势差: WmWs Wm Ws qVbi=Wm-WS qVbi=WS-Wm qΦBn Wm Ws WmWs qVbi=Wm-WS qVbi=WS-Wm qΦBp qΦBp n型 p型 * 二、 电流输运过程 1、势垒接触-肖特基二极管：金属-n型半导体系统 外加正电压： 半导体和金属没有统一的费米能级；势垒下降； 半导体到金属的电子数大于金属到半导体的电子数； 形成从金属到半导体的正向电流（n型半导体多数载流子构成）； 外加电压越高，势垒下降越多，正向电流越大。 肖特基势垒/肖特基二极管 * 外加反向电压： 半导体和金属没有统一的费米能级；势垒增高； 半导体到金属的电子小于金属到半导体的电子流数； 形成由半导体到金属的反向电流；反向电流很小； 金属侧势垒不随外加电压变化，所以金属到半导体的电子流恒定； 反向电压提高，忽略半导体到金属的电子流，反向电流将趋于饱和。 * 以上分析说明：势垒接触具有类似p-n结的伏-安特性，即有整流作用。 对p型势垒接触完全类似。不同的是正向电压和反向电压的极性正好与n型相反。 当金属加负电压时，形成从半导体流向金属的正向电流； 当金属加正电压时，形成反向电流。 势垒--称为肖特基势垒； 具有整流特性的器件--称为肖特基二极管。 * 2、I-V特性 1）热电子发射理论– 势垒区宽度电子平均自由程 与温度强相关 适于迁移率高、平均自由程大金-半 * 2）扩散理论--势垒区宽度电子平均自由程 随电压变化 适于迁移率较低、平均自由程较小金-半 * 3）热电子发射-扩散理论 适于中等掺杂、高迁移率金-半 4）隧穿电流 5）肖特基二极管优点： 多子输运-速度高 * 三、 欧姆接触 欧姆接触--金属与半导体形成非整流接触， 不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体 内部的平衡载流子浓度发生显著的变化。 实现方法： 形成反阻挡层； 利用隧道效应。 欧姆接触表征 * 1、形成反阻挡层 反阻挡层没有整流作用 但由于常见半导体材料一般都有很高的表面态密度，因此很难用选择金属材料的办法来获得欧姆接触。 WmWs WmWs * 2、利用隧道效应 重掺杂的半导体与金属接触时，则势垒宽度变得很薄，电子通过隧道效应产生电流，可形成接近理想的欧姆接触。 * 一、 JFET与MESFET基本原理结构 G(栅极)-- 输入端：pn结构成; S(源极)—共用电极：提供载流子； D(漏极)—输出电极：输出载流子。 耗尽层 P型或绝缘衬底 2. MESFET G(栅极)-- 输入端： 金属-半导体肖特基势垒结构成; S(源极)—共用电极：提供载流子； D(漏极)—输出电极：输出载流子。 结构参数: L--沟道长度； z--沟道宽度； a--沟道厚度； h--耗尽层宽度 a 1. JFET 耗尽层 a 4.5.2 JFET与MESFET * 3.结构类型 沟道导电类型划分：n型沟道(n沟)，p型沟道(p沟) n-JFET； p-JFET。 n-MESFET； p-MESFET。 沟道导电形式划分： VGS=0存在导电沟道 —称耗尽型FET； VGS=0不存在导电沟道—称增强型FET。 结构类型： n(p)沟耗尽型JFET; n(p)沟增强型JFET。 n (p)沟耗尽MESFET ； n(p)沟增强型MESFET。 * 二、 基本工作原理分析 a. VGS调变pn结(金-半结)耗尽层厚度：导电沟道厚度变化--沟道电阻变化； b. 施加电压VDS：导电沟道产生横向压降--结反偏压由源到漏逐渐增大--耗尽层从源到漏展宽--沟道逐渐变窄--沟道电阻增大； c. 施加电压VDS：随VGS而变化