第六章磁化理论技术报告.ppt

2、多晶材料 知道了剩磁状态下多晶体的自发磁化方向在空间的分布后，计算Mr有两种方法： A、以H为固定轴，自发磁化方向在空间变化(按照确定的分布)，然后求各种磁化强度在H方向的投影可得Mr。 B、以Ms方向为固定轴，把外场方向看成空间变化（按确定得分布)，然后求Ms在各外场方向得投影可得Mr。 1)、单轴晶系的多晶体（以方法A求） H＝Hs时，Ms集中于H方向，变到剩磁状态时，各晶粒的自发磁化方向就回到各自的易轴方向（最接近H的易轴方向），由于这些易轴均匀分布于空间半球内，故剩磁状态下多晶体的Ms方向只能均匀分布于空间最靠近H的半球内。 讨论（结论） 多晶体 Mr 的计算结果： 单轴： Mr ＝ 0.5 Ms 立方：K10时, Mr = 0.832 Ms ; K10 时， Mr ＝0.866 Ms 易轴越多， Ms 取靠近外磁场方向的机会越大，沿外场方向Ms 的分量平均值就越大。 由于Mr/Ms值不同，立方晶系多晶与单轴晶系多晶材料的磁滞回线显著不同。 M Ms Mr 立方 M Ms Mr 单轴 以上计算均指各向同性的多晶材料，对于各项异性的多晶， Mr/Ms的理论值最大可以为1。 Mr/Ms 越接近于1，磁滞回线的形状越接近于矩形。对于作为存储器的矩磁材料， Mr/Ms 是材料性能的重要参数之一。 习 题 P387：6.2-6.5 补充： 1. 说明缺陷对材料HC影响的两重性。 2. 多晶材料在磁中性状态、饱和磁化状态、剩磁状态及矫顽力控制下的磁矩如何分布？ 3. NiFe2O4是一种结构松散、各向异性不高的材料。经测，其 ; 。对这样的材料的起始磁导率（ ）应该按照哪种磁化机制进行理论计算？试计算此值，看是否与实验值具有相同的数量级。 杂质立方点阵分布模型 反磁化过程中，磁滞形成的根本原因是由于铁磁体内存在应力起伏、杂质及广义磁各向异性引起的不可逆磁化过程。所以磁滞与反磁化过程的阻力分布密切相关。 磁滞的大小取决于磁滞回线面积的大小，而面积又主要取决于矫顽力，矫顽力只与不可逆过程相连系。 根据反磁化过程的阻滞原因分析，磁滞机制可分为： 不可逆壁移 不可逆畴转 反磁化核成长 一、不可逆壁移 我们前面在不可逆壁移磁化过程中分别推出了在应力与杂质作用下的 ，故利用 可得： 1)、M从正向值变到反向值经过M=0时的磁场强度—内禀矫顽力MHc，即是发生大巴克豪森跳跃的临界点（b点）。 2)、大块材料的Hc是各晶粒的Hc的平均效果。所以实际上Hc要略大于 ，一般： 3)、软磁材料，要求Hc小； 永磁材料，要求Hc大。 H M a b Mr c d mHc 壁移反磁化过程 Hc Mr 可逆过程 小巴克豪森跳跃 大巴克豪森跳跃 大块单轴多晶体的磁滞回线 二、反磁化核成长引起的磁滞 当样品已磁化到饱和时，反磁化畴依旧可能存在。 在大块材料中，局部的内应力与杂质造成这些局部小区域内的M与其他区域不一致，从而形成“反磁化核”，如果加一定强度的反向的磁场，则这些反磁化核将逐步长大而成为“反磁化畴”，产生畴壁，为反磁化过程中的壁移创造条件。 通过反磁化核发生与长大来进行壁移的过程有两个阶段： H下，反磁化核发生与长大形成反磁化畴， 长大后的反磁化畴进行可逆与不可逆壁移。 1、发动场理论（德棱W.Doring,1938年—反核长大问题） 反磁化核长大的条件，从能量上看，就是随着反磁化核的长大，其能量必须降低。 而由于反磁化核的长大（体积增大dV），必然引起： 畴壁面积增大dS，? Δγ=γωdS 反磁化核形状变化，?退磁场能量变化dEd 反抗壁移的最大阻力做功：2μ0MsHodV 静磁能降低：2μ0MsHdV 所以反磁化核的长大条件为： 即反磁化核自身能量的变化必须克服外界的最大阻力时才能持续长大。 设反磁化核形状为细长的旋转椭球（长半径l，短半径d）则椭球的体积为： 面积为： S= π2ld 关于Ed计算，可这样考虑：设反磁化核原来的磁矩与材料主体一致，此时Fd =0；设想反磁化核的形成是由于磁矩转了1800