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开关稳压电源 组员:王娴薇 李萍 陈鑫成 开关稳压电源的特点 ①利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关端的时间比率以维持稳定的输出电压 ②体积小、重量轻、效率高、对电网电压及频率变化适应性强、输出电压保持时间长、有利于计算机信息保护等 一.系统总体框架 原理图: 二.方案分析 1.DC-DC主回路拓扑 Boost升压斩波电路:拓扑结构如图所示。开关的开通和关断受外部PWM信号控制,电感L将交替地存储和释放能量,电感L储能后使电压泵升,而电容C可将输出电压保持住,输出电压与输入电压的关系为UO=(ton+toff),通过改变PWM控制信号的占空比可以相应实现输出电压的变化。该电路采取直接直流变流的方式实现升压,电路结构较为简单,损耗较小,效率较高。 Boost升压电路器件的选择及参数计算: Boost升压电路包括驱动电路和Boost升压基本电路 PWM驱动电路器件的选择: 单片机I/O口输出电压较低、驱动能力不强,我们使用专用驱动芯片IR2302。其导通上升时间和关断下降时间分别为130 ns和50 ns,可以实现电力场效应管的高速开通和关断。IR2302还具有欠压保护功能。 (a)PWM驱动电路 (b)BOOST升压基本电路 三.提高效率的方法 1.Boost升压斩波电路中开关管的选取:电力晶体管(GTR)耐压高、工作频率较低、开关损耗大;电力场效应管(Power MOSFET)开关损耗小、工作频率较高。从工作频率和降低损耗的角度考虑,选择电力场效应管作为开关管。 2.选择合适的开关工作频率:为降低开关损耗,应尽量降低工作频率;为避免产生噪声,工作频率不应在音频内。综合考虑后,我们把开关频率设定为20kHz。 3. Boost升压电路中二极管的选取:开关电源对于二极管的开关速度要求较高,可从快速恢复二极管和肖特基二极管中加以选择。与快速恢复二极管相比,肖特基二极管具有正向压降很小、恢复时间更短的优点,但反向耐压较低,多用于低压场合。考虑到降低损耗和低压应用的实际,选择肖特基二极管。 4. 控制电路及保护电路的措施:控制电路采取超低功耗单片机MSP430,其工作电流仅280μA;显示采取低功耗LCD;控制及保护电路的电源采取了降低功耗的方式,单片机由低功耗稳压芯片HT7133单独供电。 3.开关场效应管的选择: 选择导通电阻小的IRF540作为开关管,其导通电阻仅为77mΩ(VGS=10V, ID=17A)。IRF540击穿电压VDSS为55V ,漏极电流最大值为28A(VGS =10 V, 25°C),允许最大管耗PCM可达50W,完全满足电路要求。 4.肖特基二极管的选择: 选择ESAD85M-009型肖特基二极管,其导通压降小,通过1 A电流时仅为0.35V,并且恢复时间短。实际使用时为降低导通压降将两个肖特基二极管并联。 5.数字设定及显示电路的设计: 分别通过键盘和LCD实现数字设定和显示。键盘用来设定和调整输出电压;输出电压、输出电流和输入电压的量值通过LCD显示。 四.电路的参数计算 1.电容的参数计算 其中,ΔUO为负载电压变化量,取20 mV,f=20kHz,UO=36V时,CB=1465μF,取为2000μF,实际电路中用多只电容并联实现,减小电容的串联等效电阻(ESR),起到减小输出电压纹波的作用,更好地实现稳压。 2.输出滤波电路的设计与参数计算 为了降低纹波,采用LC低通滤波器,取截止频率fL=200 Hz,电容取470μF, 由 得 由 代入得L=215.80 μH,取220μH 3.控制电路的设计与参数计算 单片机根据电压的设定值和电压反馈信号调整PWM控制信号的占空比,实现稳压输出,同时,单片机与采样电路相结合,将为系统提供过流保护、过热保护、过压保护等措施,并实现输出电压、输出电流和输入电压的测量和显示。 PWM信号占空比 当U2=15V,UO=36V时,UIN=1.2*U2-2V=16V, 最大值DMAX=0.556; 当U2=21V,UO=30V时,UIN=1.4*U2-2V=27.4V,最小值DMIN=0.087 当系统对于单片机A/D采样精度的要求:题目中最高的精度要求为0.2%,欲达到这一精度,A/D精度要达到1/500,即至少为9位A/D,MP430内置A/D为12位,只要合理设定测量范围。 五. 软件设计 本程序主要通过键盘设定输出电压值,利用PI算法控制PWM的占空比,实现电压稳定输出.并且为了减少干扰,软件采用同步采样的方法,即在PWM上升沿后2微秒,再去采样,这样就可以避免采样到毛刺,进行错误的判断,导致输出电压不稳,再根据一些其它的反馈
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