核辐射探测习题解答3.docVIP

第三章作业答案 1.用图3.6的列线图，求出由具有1000Ω*CM电阻率的N型硅制造的一个结型半导体探测器中产生0.1mm厚耗尽深度所需要的偏压。 解：教材P161图3.6 0.1mm=100um，连接电阻率与灵敏区厚度两个点的连线，延长线交偏压于35V所对应的点。即偏压为35V。 3.当α粒子被准直得垂直于金硅面垒探测器的表面时，241Am刻度源的主要α射线峰中心位于多道分析器的461道。然后改变几何条件，使α粒子偏离法线350角入射，此时，峰位移到449道，试求死层厚度（以α粒子粒子能量损失表示）。 解： 教材P162 当能量为损失E0的粒子垂直入射时 当 ＝0时， 设粒子在探测器死层内的能量为E1则探测器灵敏体积得到的能量为（E0-E1）谱峰位在461道 当＝350时，死层内能量损失为E2＝＝1.22E1 探测器灵敏体积得到的能量为（E0-E2）＝E0-1.22E1 谱峰位449道 则粒子两个角度入射探测器灵敏体积分别得到的能量的差为 E＝461－449＝（E0-E1）－（E0-E2） 12＝E0－E1- E0+1.22E1=0.22E1 所以E1＝（道） （补充：由手册可查，241Am刻度源的主要射线能量，设G每道所对应的能量，那么 解可得 ） 4.试就以下条件画出硅面垒探测器的期望微分脉冲幅度谱： 5MeV入射粒子，探测器的耗尽深度大于