SiGeHBT电子辐照效应的退火要点.docVIP

SiGe HBT器件电子辐照的退火效应研究 学生：XXX 指导教师：XXX 摘要 本文主要研究对SiGe HBT器件进行电子辐照后的退火效应。对于双极型晶体管，电流增益是其电性能参数中的关键参数，电流增益的衰减是双极型晶体管最显著同时也是最典型的辐射损伤效应。通过电子静电加速器对器件进行电子辐照，电流增益随着辐照剂量的增加而减小。在辐照试验完成后，对SiGe HBT器件进行室温退火,通过测试器件的输出特性来研究电流增益随退火时间的变化规律。退火实验结果表明，SiGe HBT器件电性能随着退火时间的增加而逐渐恢复。 关键词 SiGe HBT 电子辐照 电流增益 退火效应 Annealing effect of electron irradiation on the SiGe HBT devices Professional Microelectronics Student:XXXXXX Adviser:XXXX Abstract This paper studies the effect of annealing SiGe HBT devices after electron irradiation. For the bipolar transistor, the electrical properties of the current gain parameter is