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第十四章 半导体器件
3007在 PN 结 中 形 成 空 间 电 荷 区 的 正、负 离 子 都 带 电,所 以 空 间 电 荷 区 的 电 阻
率( A )。
很 高 (b) 很 低(c)等 于N 型 或 P 型 半 导 体 的 电 阻 率
11023型 号 为 2CP10 的 正 向 硅 二 极 管 导 通 后 的 正 向 压 降 约 为( C )。
(a) 1V (b) 0.2 V (c) 0.6 V
15039电 路 如 图1 所 示, 已 知U = 6V,u =18sintV, 波 形 如 图2, 二 极 管 正 向 导 通 时 的 压 降 可 忽 略 不 计, 则 二 极 管 两 端 电 压 uD 的 波 形 为 图3 中( )。
22061温 度 稳 定 性 最 好 的 稳 压 管 是( A )。
(a) 稳 定 电 压 UZ = 6 V 的 管 子
(b) 稳 定 电 压 UZ 6 V 的 管 子
(c) 稳 定 电 压 U 6 V 的 管 子
23064稳 压 管 的 动 态 电 阻 rZ 是 指 ( B )。
(a) 稳 定 电 压 与 相 应 电 流 IZ 之 比
(b) 稳 压 管 端 电 压 变 化 量 UZ 与 相 应 电 流 变 化 量 IZ 的 比 值
(c) 稳 压 管 正 向 压 降 与 相 应 正 向 电 流 的 比 值
24065动 态 电 阻 rZ 是 表 示 稳 压 管 的 一 个 重 要 参 数, 它 的 大 小 对 稳 压 性 能 的 影
响 是 ( B )。
(a) rZ 小 则 稳 压 性 能 差 (b) rZ 小 则 稳 压 性 能 好(c) rZ 的大小不影响稳压性能
34084晶 体 管 的 主 要 特 点 是 具 有( B )。
(a) 单 向 导 电 性 (b) 电 流 放 大 作 用 (c) 稳 压 作 用
35086如果改变晶体管基极电压的极性, 使发射结由正偏导通改为反偏, 则集电极电流 ( B )。
(a) 反 向 (b) 近 似 等 于 零 (c) 不 变 (d) 增 大
36088 晶 体 管 处 于 截 止 状 态 时, 集 电 结 和 发 射 结 的 偏 置 情 况 为( B )。
发射结反偏集电结正偏 (b) 发射结、集电结均反偏(c) 发射结、集电结均正偏 (d) 发射结正偏,集电结反偏
38091 晶体管的穿透电流 ICEO 是表明( A )。
(a) 该 管 温 度 稳 定 性 好 坏 的 参 数
(b) 该 管 允 许 通 过 最 大 电 流 的 极 限 参 数
(c) 该 管 放 大 能 力 的 参 数
39093 表明晶体管质量优劣的主要参数是( )。
40095某 晶 体 管 的 集 电 极 的 最 大 允 许 耗 散 功 率 PCM = 500 mW, 集 电 极 最 大 允 许 电
流 ICM = 500 mA, 在 实 际 应 用 线 路 中 测 得 它 的 集 电 极 电 流 IC =100 mA,UCE = 6 V,
其 后果 为 ( A )。
(a) 该 管 应 过 热 而 损 坏
(b) 该 管 可 长 期 安 全 工 作
(c) 该 管 可 安 全 工 作、但 将 下 降
41100 已 知 某 晶 体 管 的 ICEO 为 200 , 当 基 极 电 流 为 20 时, 集 电 极 电 流 为
1mA,则 该 管 的 ICBO 约 等 于 ( C )。
(a) 8 mA (b) 10 mA (c) 5 (d) 20
43104在 计 算 低 频 小 功 率 晶 体 管 输 入 电 阻 rbe 时, 有 三 位 同 学 用 了 三 种 方 法,
而 且 计 算 结 果 差 别 很 大, 请 指 出 正 确 的 表 达 式 是 ( C )。
50123某 场 效 应 管 的 漏 极 特 性 曲 线 如 图 所 示, 则 该 场 效 应 管 为 ( B )。
(a) P 沟 道 耗 尽 型 MOS 管 (b) N 沟 道 增 强 型 MOS 管
(c) P 沟 道 增 强 型 MOS 管 (d) N 沟 道 耗 尽 型 MOS 管
51124 图 示 为 场 效 应 管 的 转 移 特 性 和 漏 极 特 性
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