BJT和MOSFET单管放大器浅析(比较).docxVIP

BJT与MOSFET单管放大器浅析 任永浩 1301100821 王艳 1301100828 夏星星 1301100831 摘要 我们将介绍金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）以及双极型晶体管（BJT），这两类晶体管都有独特的特征和应用范围。MOSFET毫无疑问是应用最广泛的电子器件，CMOS是集成电路的首选技术，然而，BJT仍然是一个重要的器件，CMOS电路加入BJT后性能会更优越。我们会对这两种类型的电路做一个比较，讨论这两类晶体之间的差别，进一步了解这两类晶体管。 关键词 BJT MOSFET 比较 中图分类号：×××××××××× 文献标志码：A 双极性晶体管（BJT） 双极性晶体管，全称双极性结型晶体管，俗称三极管，是一种具有三个终端的电子器件。这种晶体管的工作，同时涉及HYPERLINK /wiki/%E7%94%B5%E5%AD%90 \o 电子电子和 HYPERLINK /wiki/??o??′ \o 空穴 空穴两种 HYPERLINK /wiki/è???μ??-? \o 载流子 载流子的流动，因此它被称为双极性的，所以也称双极性载流子晶体管。这种工作方式与诸如 HYPERLINK /wiki/??o????o???? \o 场效应管 场效应管的单极性晶体管不同，后者的工作方式仅涉及单一种类载流子的 HYPERLINK /wiki/????§ 漂移作用。两种不同掺杂物聚集区域之间的边界由 HYPERLINK /wiki/PN? PN结形成。 1.1 器件结构与物理特性 图1 npn、pnp晶体管的简化结构 如图一所示，BJT有三个半导体区域组成：发射区（n型）、基区（p型）、集电区（n型）。这种晶体管叫做npn晶体管。；另一种晶体管是npn晶体管的对偶，它具有p型发射区、n型基区和p型集电区，称为pnp晶体管。 晶体管由两个pn结组成，即发射结（EBJ）和集电结（CBJ）。根据这两个结的偏置条件（正向和反向），可以得到BJT不同的工作模式，如表1所示。 表1 BJT的工作模式 模式EBJCBJ截止反偏反偏放大正偏反偏反向放大反偏正偏饱和正偏正偏 放大模式也称正向放大模式，当晶体管作为放大器工作时，应用这种模式。开关应用使用截止模式和饱和模式。反向放大模式只有有限的应用范围，但是其概念很重要。 1.2 npn型与pnp型双极晶体管原理 NPN型双极性晶体管可以视为共用HYPERLINK /wiki/%E9%98%B3%E6%9E%81 \o 阳极阳极的两个 HYPERLINK /wiki/?o??￥μ??? \o 二极管 二极管接合在一起。在双极性晶体管的正常工作状态下，发射结（基极与发射极之间的PN结）处于正向HYPERLINK /wiki/%E5%81%8F%E7%BD%AE \o 偏置偏置状态，而集电结（基极与集电极之间的PN结）则处于反向偏置状态。在没有外加电压时，发射结N区的电子（该区域的HYPERLINK /wiki/%E5%A4%9A%E6%95%B0%E8%BD%BD%E6%B5%81%E5%AD%90 \o 多数载流子多数载流子）浓度大于P区的电子浓度，部分电子将扩散到P区。同理，P区的部分空穴也将扩散到N区。这样，发射结上将形成一个空间电荷区（也称为HYPERLINK /wiki/%E8%80%97%E5%B0%BD%E5%B1%82 \o 耗尽层耗尽层），产生一个内在的HYPERLINK /wiki/%E7%94%B5%E5%9C%BA \o 电场电场，其方向由N区指向P区，这个电场将阻碍上述扩散过程的进一步发生，从而达成HYPERLINK /wiki/%E5%8B%95%E6%85%8B%E5%B9%B3%E8%A1%A1 \o 动态平衡动态平衡。这时，如果把一个正向电压施加在发射结上，上述载流子扩散运动和耗尽层中内在电场之间的动态平衡将被打破，这样会使热激发电子注入基极区域。在NPN型晶体管里，基区为P型掺杂，这里空穴为多数掺杂物质，而电子则为HYPERLINK /wiki/%E5%B0%91%E6%95%B0%E8%BD%BD%E6%B5%81%E5%AD%90 \o 少数载流子少数载流子。从发射极被注入到基极区域的电子，一方面与这里的多数载流子空穴发生 HYPERLINK /wiki/?¤???? \o 复合 复合，另一方面，由于基极区域掺杂程度低、物理尺寸薄，并且集电结处于反向偏置状态，大部分电子将通过漂移运动抵达集电极区域，形成集电极电流。如图3所示。 图3 放大模式下npn晶体管极电流组成 Pnp晶体