场效应管及其基本电路精要.pptVIP

模拟电子技术 BJT与FET之比较 1.电路结构 2.工作原理 3.伏安特性 4.状态判断 5.放大状态下直流、交流等效模型 3. 输出电阻Ro U o R L R S S D I d g m U gs + _ U i G R G 3 R G 2 R G 1 + _ I o U o R S S D I d g m U gs G + _ I o 图3.3.5计算共漏电路输出电阻Ro的等效电路 R o R o I o 表 3.3.1 场效应管三种组态放大电路性能比较 作 业 3.1 3.5 3.3 3.12 好 差 抗干扰能力 好 不好 辐射光照温度特性 D－S 可置换 C－E不可置换 使用 简单，易集成 复杂 工艺 gm(小) ? (大) 放大能力 108～1012 102～103 输入阻抗 压控 流控 工作控制方式 多子（单极型） 多子、少子（双极型） 导电机构 FET BJT BJT与FET的对比 使用FET的几点注意事项 保存 测量 焊接 JFET用万用表测试要小心谨慎。 电烙铁要有中线。 MOSFET一般不可测。 各电极焊接顺序为：S→D→G。 断电焊接。 注意将几个管脚短路（用金属丝捆绑）。 二、N沟道耗尽型 MOSFET(Depletion NMOSFET) UGS=0，导电沟道已形成 B N ＋ 导电沟道（反型层） P 型衬底 N ＋ 图3.1.10N沟道耗