计时法分析报告.pptVIP

第二阶跃的电量与时间的关系相当复杂，可用下式表示： 可求出反应物的吸附量Г和充电电量Qdl 以上讨论的双阶跃计时电量法，仅适于反应物吸附而产物不吸附的体系。如产物也吸附，则采用Anson等人提出的三阶跃计时电量法。 3．三阶跃法 例如，测定SCN-在汞电极上的吸附量。SCN-能发生下列电极反应： 在+0.30V(vs．SCE)．已达到极限扩散电流。如测量一0.20V时SCN-的吸附量，则第一阶跃为－0.20V－+0.30V，由式可得 作Q－t1/2直线，其截距 在+0.30V时，产物Hg(SCN)：能吸附在电极上。找一较负电位，如-0.80V，SCN-不吸附。第二阶跃为－0.80V－+O.30V，由式得 怍Q－t1/2直线，可求得截距 第三阶跃为－0.80－－0.20v，此阶跃为非Faraday过程，与时间无关，即 可得吸附电量nFAГ 由上式可求得SCN-的吸附量r。 Anson等用上述的计时电量法研究SCN-和硫脲在汞电极上的吸附，并测定了它们的吸附量；研究了S2O32-和I-存在下Cd2+吸附体系，并提出诱导吸附的吸附模式。 高小霞、张曼平用这种方法研究了O一Cp(邻甲酚酞配位体)和Pr(Ⅲ)一O－Cp体系的吸附。根据Q—t1/2的直线斜率求得扩散系数D＝4.0×10-7cm2／s，与用Ilkovi?方