硅光电池特性2资料精要.pptVIP

* 硅光电池特性的研究 掌握PN结形成原理及其工作机理 掌握硅光电池工作原理及其工作特性 掌握发光二极管的工作原理 实验目的 实验原理 一、PN结的形成及单向导电性 零偏 反偏 正偏 半导体PN结在零偏﹑反偏﹑正偏下的耗尽区 PN结具有单向导电性。在PN结上加正向电压时，PN结电阻很低，正向电流较大，PN结处于正向导通状态；加反向电压时，PN结电阻很高，反向电流很小，PN结处于截至状态。 二 硅光电池的工作原理 硅光电池是一个大面积的光电二极管，它可把入射到它表面的光能转化为电能。当有光照时，入射光子将把处于介带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别漂移到N型区和P型区，当在PN结两端加负载时就有一光生电流流过负载。 光电池结构示意图 （1） PN结两端的电流： 光电池处于零偏时，V＝0，流过PN结的电流I＝Ip ；光电池处于反偏时（实验中取V ＝－5V），流过PN结的电流I ＝Ip-Is ，当光电池用作光电转换器时，必须处于零偏或反偏状态。 （2）光电流IP与输出光功率Pi之间的关系： R 为响应率，R 值随入射光波长的不同而变