薄膜制备与分析课堂讲稿第一讲精要.pptVIP

4. 等离子体化学气相沉积法(PECVD) 为了使化学反应能在 较低的温度下进行，利用 了等离子体的活性来促进 反应，因而这种CVD称为 等离子体增强化学气相沉 积(PECVD)即： 高频辉光放电形成等离子体 +化学反应 = PECVD 反应气体 接射频电源 样品 抽气 成膜机理： 辉光放电等离子体中： 电子密度高 (109~1012/cm3) 电子气温度比普通气体分子温度高出10-100倍 ∵ 虽环境温度(100-300℃)，但反应气体在辉光放电 等离子体中能受激分解，离解和离化，从而大大 提高了参与反应物的活性。 因此，这些具有高反应活性的中性物质很容易被吸附到较低温度的基本表面上，发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜。 优点： 基本温度低；沉积速率快； 成膜质量好，针孔少，不易龟裂。 5. 光CVD 为了在膜的局部形成指定膜成份，发展了光CVD. 其基本原理： M + hv(光子) → M*(激发态) 受激分子具有额外能量hv,成了一种新的化学粒子,化学活性增大，与其它气体易反应，例如： 但实际上并不是百分之百地凝结成膜，总有一部分原子或分子会产生解吸。因此，存在一个凝结系数α即： d实=αd理 α=d实/d理 不同的基板，往往凝结系数α不同，从而沉积速率d实不同. 这是实验上所观察到的现象。 ⑹ 蒸发手段 电阻蒸发