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近红外光电探测器材料 ——Si基材料 物理系 主要的三个部分 前言 引言 探测器的分类 近红外硅基探测器的进展 基本原理 Si Ge 的性质 SiGe应变材料的性质 材料生长 ＵＨＶ－ＣＶＤ 表征 一.前言 引言 探测器的分类 近红外硅基探测器的进展 1.引言 2.红外探测器的分类 2.1 热探测器 热胀冷缩效应：液态的水银温度计、气态的高莱池（Golay cell） 温差（Seeback）效应: 热电偶和热电堆 共振频率对温度的敏感性：石英共振器非致冷红外成像阵列。 材料的电阻或介电常数的热敏效应 热释电效应 缺点：灵敏度低，响应速度慢 2.2光电探测器 2.3探测器的性能参数 量子效率: 单个入射光子在器件中所产生的对光电流有贡献的电子－空穴对．即光生载流子与入射光子流的比值 响 应 度: 单位入射光功率产生的电流. 3.近红外硅基探测器的发展 －－在硅上外延Ge体材料 二.基本原理 Si Ge 的性质 SiGe应变材料的性质 1.Si Ge 的性质 Si Ge 晶体结构 SiGe材料的性质 2.应变材料的性质 应变对带隙的影响 应变对si导带和价带的影响 Si1-xGex/Si 异质结两种能带结构 2.2应变对si的影响——导带 应变对si的影响——价带 三.材料生长 ＵＨＶ－ＣＶＤ 表征 UHV-CVD主机（轴侧视图） 1.Si片清洗： Ⅲ号液 H2SO4+ H2O2 ，HF溶液漂洗(1:20)； Ⅰ号液 NH3OH+H2O2 ， HF溶液漂洗(1:20); Ⅱ号液 HCl+H2O2 ，吹干(普氮）。 2.样品传递： ⑴从手套箱进； ⑵直接从进样室进。 3.样品预处理室处理 4.样品生长室去除SiO2： 5.材料生长 6.取片 表征 X射线 厚度 应变 组分 拉曼散射 应变和应力的测定 合金中组分x的测定 反射式高能电子电子衍射 1 测量SiGe单层厚度 原理： t ＝λsin θB/△θ sin2θB △θ：SiGe外延层干涉条纹间的角距离 λ： x射线波长（CuKα1，Ge（004）单色器，0.154nm） θB： Si（004）的Bragg衍射角（34.564°） 附图： 2.应变系数 ε＝△d/d＝－ctgθ×△θ θ： Bragg角 △θ：SiGe外延层与硅衬底衍射峰之间的角距离 d： 衬底晶格常数 △d： 外延层与硅衬底间的晶格常数差 二.喇曼效应 由于Si，Ge对可见光不透明，因而拉曼散射谱通常采用背散射或近背散射装置。 对于非极性晶体Si，Ge，纵，横向光学声子的能量在Г 点是简并的，在拉曼谱中分别为520 cm-1 和301 cm-1 。 由于Ge的单声子峰和Si的双声子峰具有相近的波数（300 cm-1 ），因此在分析拉曼谱时必须加以注意。 1. 应变和应力的测定 a.对于共度生长在Si （001）衬底上的 Si1-xGex 合金，双轴压应力导致光学声子的附加平移，即合金层的拉曼峰位与同组分的体合金相对应峰的峰位的差值，记为δω。其大小由下式给出： 式中 是无应变时的声子频率， 为相关的形变势， 为共度生长的张应变和压应变。 C. 应力测定 δω与应变ε之间的关系为： 系数b一般是应变和组分x的函数，对于Si－Ge模是一个与应变和组分无关的常数。 由实验可得到 ， 因此可进一步得到 d.对Si外延层中Si声子峰的峰位偏移δω与应力σ 之间的关系为 （cm-1） 结果分析： Si0.91Ge0.09： △θ ＝113″，t＝0.17um （169.5±2.0nm） Si0.86Ge0.14： △θ ＝167″，t＝0.11um （108.3±2.0nm） 3.组分（Vegard定律） x＝△d/dM＝△ θ/ △ θM dM： Ge与Si的晶格常数差 △θM：Ge与Si衍射峰的角间距 当光照射到物质上时会发生非弹性散射，散射光中除有与激发光波长相同的弹性成分（瑞利散射）外，还有比激发光波长长的和短的成分，后一现象统称为喇曼效应。喇曼散射非常弱，大约为瑞利散射的千分之一。 由分子振动、固体中的光学声子等元激发与激发光相互作用产生的非弹性散射称为喇曼散射，瑞利线与喇曼线的波数差称