第八章半导体发光二极管分析.pptVIP

当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。 8.5 半导体LED的工作原理 p-n结注入式电致发光机理 （结型电致发光） 按照半导体材料不同形成的p-n结来进行电致发光的情况，可分为两类： 同质p-n结注入式电致发光 异质p-n结注入式电致发光 8.7.4 温度对LED的电学性质的影响 温度对二极管正向驱动电压也有影响。 对非简并半导体，在正向偏压下，肖克莱方程可写成： 由此可得： 其中： 8.8.1 P-I特性和不同定义下得光发射效率 LED最终的输出光功率可以用发光过程中每一步自身的特征效率表示，所以器件总效率（也叫外功率效率）可以表示为： ηg：过剩载流子的注入效率 ηi：载流子的辐射复合效率，也叫内量子效率。 ηesc：半导体内的光逸出器件能进入自由空间的效率，也叫 光学（逸出）效率。 LED的输出光功率Pout与注入电流 I 的关系 是反映器件性能优劣的基本特性之一。 1、注入效率ηg 对于一个不对称的n+-P结，电子注入是主要的，注入到