单晶硅的制备分析.pptVIP

* 单晶 的制备 名 称： 单晶硅 英文名： Monocrystalline silicon 分子式： Si   熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法（Czochralski法）或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。 直拉法单晶硅 通过电阻加热，将装在石英坩埚中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔点的温度，将籽晶浸入熔体，然后以一定速度向上提拉籽晶并同时旋转引出晶体。 (1)熔料。将坩埚内多晶料全部熔化； (2)引晶。将籽晶放下经烘烤后，使之接触熔体，籽晶向上提拉，控制温度使熔体在籽晶上结晶； (3)缩颈。目的在于减少或消除位错，获得无位错单晶。 (5)等径。单晶保持圆柱形生长。 (6)收尾。将单晶直径逐渐缩小，最后呈锥形，以避免位错反延伸。 (4)放肩。使单晶长大到所需要的直径尺寸。 1电极； 2硅熔体； 3等径生长； 4观察孔； 5放肩； 6缩颈； 7图像传感器； 8卷轴旋转系统； 9提拉绳； 10至真空泵； 11光学系统； 12石英坩埚；