半导体II分析.ppt

1. Ideal MS contact a.仅有金属与半导体接触，其中 沒有任何中间层 b. 金属与半导体之間沒有所谓扩 散之問題 c.在金属与半导体的界面上不存在表面电荷 2.work function－电子能夠由材料的Fermi level脱离而达到完全自由所需之能量。 3.vacuum level－自由电子所在之位置。 4.金属的fermi level 就在材料表面，因此其work function 便是 vacuum level 和fermi level 的差 5. 半导体的work function与金属有別，因為其fermi level 在CB之下，所以其work function 6. 其中 为electron affinity ，也就是电子由CB表面脱离至vacuum level 所需之能量，每一半导体有其特定值，至于fermi level 与CB之差值則決定在杂质的掺入量来決定。 7.金属与半导体接触将有四种可能性的組合，半导体区分为P type 及N type，而其中金属的work function 与半导体的work function 将会有大有小的可能性。 二. 以金属与N type半导体的接触为例 －整流接触、非整流接触 1.当金属的work function 大于半导体的work function 時，刚接触时，半导体区将会有电子流入金属区（因为femi level 较高），平衡后在半导体区因为为保持电中性自然形成帶有正电荷之离子存在，最后形成一反向电场阻止电子流向金属区，在半导体界面将会形成一额外之障碍位能。 2. 在半导体侧，該位垒值为金属之work function 与半导体electron affinity 的差值。 3.由于半导体中自由电荷密度的限制，正电荷分布在半导体表面相当厚的一层表面内，即耗尽层。此区电阻高，内建电场造成能带弯曲。 4.当金属的work function 大于半导体的work function 則所形成之界面与PN junction 的二极管相当类似。 5. 正向偏压时，降低了金属的Fermi level (即半导体能带升高|eVA|)，使得半导体的电子容易流入金属区。 6. 反向偏压时，半导体能带下降|eVA|，导致势垒进一步升高，耗尽层宽度增加。使得半导体的电子不能流入金属区。 7. 与半导体的PN diode的不同点在于只有单一种类之载流子参与作用。 以上的单向导电性称为Shottky整流。 当金属与半导体接触后，若其I-V曲线呈現所谓二极管的特点，我們称之为Schottky contact，若其I-V曲线呈現线性变化（及与电压的正负无关）称之为ohmic contact 半导体元器件引出电极与半导体材料的接触也是一种金属-半导体结。 半导体器件一般都要利用金属电极输入或输出电流，所以我们希望这些结具有双向低欧姆电阻值的导电特性，也就是说，在金属和半导体之间形成良好的欧姆接触。 欧姆接触不产生明显的附加阻抗，即当有电流流过时，欧姆接触上的电压降应当远小于样品或器件本身的压降，也就是说，电流－电压特性是由样品的电阻或器件的特性决定的。 欧姆接触通过对接触区半导体的重掺杂来实现。理论根据是：通过对半导体材料重掺杂，使集中于半导体一侧的结（金属中有更大量的自由电子）变得如此之薄，以至于载流子可以容易地利用量子隧穿效应相对自由地传输。 Practical contact Oxide 的形成以及surface charge 的存在会使MS contact 不属于ideal contact。 surface charge 会將Fermi level 给pin 住，导致其potential barrier 与金属种类无关。 半导体有很高的表面态密度，无论是n型材料或是p型材料，与金属接触都形成势垒，而与金属功函数关系不大。因此，不能用选择金属材料的方法来获得欧姆接触。 一般想形成ohmic contact 的做法是先行在半导体表层掺入高浓度的杂质，使得其势垒区变得很薄，如此可使载流子容易穿透。 借杂质浓度改变空间电荷区的宽度 肖特基结二极管 金属与掺杂半导体接触形成的肖特基结二极管 金属与半导体在交界处形成阻挡层，处于平衡态的阻挡层对外电路呈中性 肖特基结阻挡层具有类似PN结的伏-安特性 分析schottky diode其方法如同分析PN diode 一样 Built-in voltage Vd=φD/e 其电场与电位与位置的关系如下 P-N junction 与Schottky diode 不同点 在P-N junction 中，电子由Ｎ区进入Ｐ区可說是少数，然而在M