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模拟CMOS集成电路设计 实验报告 题目：模拟CMOS集成电路设计实验 学院：电子工程学院 班级：2013211202 姓名： 学号： 实验一、共源极放大器性能分析 实验目的? 1、掌握synopsys软件启动和电路原理图（schematic）设计输入方法； 2、掌握使用synopsys电路仿真软件custom?designer对原理图进行电路特性仿真；? 3、输入共源级放大器电路并对其进行DC、AC分析，绘制曲线；? 4、深入理解共源级放大器的工作原理以及mos管参数的改变对放大器性能的影响。 二、实验要求? 1、启动synopsys，建立库及Cellview文件。 2、输入共源级放大器电路图。? 3、设置仿真环境。? 4、仿真并查看仿真结果，绘制曲线。? 三、实验步骤 1、建立工作库； 2、建立单元； 3、编辑电路； 4、仿真。 四、实验结果 1、电路图： 2、幅频特性曲线： 3、元件参数： ①电阻，Rd=10kΩ： ②栅源之间所接电容，C=1pF： ③三极管（NMOS管）的参数，沟道宽度为10μ，长度为1μ，宽长比为10： ④2V电压表的参数： ⑤3V电压表的参数： 五、实验结果分析 输入交流电源电压为1V，所得增益为12dB。? 由仿真结果有：gm=496u，R=10k，所以增益Av=496*10/1000=4.96=13.91?dB?可见，实际增益大于理论增益。 实验二、差分放大器设计 一、实验目的? 1.掌握差分放大器的设计方法；? 2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。? 二、预习要求? 1．根据指标要求，设计并计算电路的有关参数； 2.画出所设计的电路，列出元件的值； 3.制定出实验方案，选择实验用的仪器设备； 4.写出预习报告。 三、实验内容 1.按以下指标要求，设计一个差分放大器，电压放大倍数大于20dB，尽量增大GBW； ?2.对所设计的电路进行设计、调试；? 3.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析； 4.使用二极管代替电阻做负载，实现10dB增益（选做）； 5.实验MOS管代替电阻做负载，实现30dB增益（选做）。 四、实验步骤 1、绘制电路图； 2、粗略确定电路中元件参数； 3、根据要求调整元件参数； 4、仿真，并生成网表； 5、绘制频谱特性图形； 6、电路的改进建议和实验中的体会。 五、实验结果（表中数据单位为dB） R W/L51020304010kΩ7.99.610.911.411.720 kΩ13.815.616.817.317.730 kΩ17.31920.220.821.1六、实验截图 1.电路图 2. W=10μ， L=1μ， R=10KΩ时的幅频特性曲线： 3. W=40μ， L=1μ， R=30KΩ时的幅频特性曲线： 改变W/L和栅极电阻，可以看到，R一定时，随着W/L增加，增益增加，W/L一定时，随着R的增加，增益也增加。但从仿真特性曲线我们可以知道，W/L增大时，带宽会下降。 实验三：电流源负载差分放大器设计 一、实验目的? 1.掌握电流源负载差分放大器的设计方法；? 2.掌握差分放大器的调试与性能指标的测试方法。? 二、实验要求? 1.设计一个差分放大器，电压放大倍数大于30dB； ?2.对所涉及的电路进行设计、调试；? 3.对电路性能指标进行测试仿真，并对测量结果进行验算和误差分析。 三、实验步骤 1.绘制电路图； 2.粗略确定电路中原件参数； 3.根据要求调整元件参数； 4.仿真，并生成网表； 5.绘制频谱特性图形； 6.电路的改进建议和实验中的体会。 四、实验结果 增益（dB）W/L(NMOS)40506070 W/L(PMOS)1020.220.821.4222026.426.526.827.1303030.5630.9531.35五．实验截图 1.电路图 2. WP=5μ，WN=40μ，L=1μ时的幅频特性曲线： 3. WP=10μ，WN=70μ，L=1μ时的幅频特性曲线： 本次实验是在实验二的基础上进行修改调试的，电压增益为31.35dB，电压的理论增益公式为? AV≈gm0,2(r02||r03) 电源电压的设计需要合适的范围，既不能太小，也不能太大。过小会使得场效应管不能进入到饱和区，过大会使得此放大器的输出摆幅过小，我们的电路设计中选择电源电压为3V，可以满足实验要求。 实验五：共源共栅电流镜设计 一、实验目的? 熟悉软件的使用，了解Cadence软件的设计过程。掌握电流镜的相关知识和技术，设计集成电路实现所给要求。? 二、实验设计题目及要求 1.实验设计题目： ?低输出电压高输出电阻的电流镜设计。