芯片贴装与芯片互连分析报告.ppt

芯片贴装与芯片互连 概述 半导体器件至电子设备 IC制备流程 概述 第二章 芯片贴装与芯片互连 2.1 芯片制备 2.2 芯片贴装 2.3 芯片互连 2.1 芯片制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 生硅的制备 2.1 芯片制备 硅的提纯 2.1 芯片制备 晶圆制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 晶体生长技术：区熔法 2.1 芯片制备 晶圆制备 2.1 芯片制备 晶棒制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 2. 芯片制备 晶圆制备 硅棒制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 硅棒制备 2.1 芯片制备 晶圆制备 晶圆切片 2.1 芯片制备 晶圆制备 晶圆尺寸 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 临时性地涂覆光刻胶到硅片上； 把设计图形最终转移到硅片上； IC制造中最重要的工艺； 占用40-50%的芯片制造时间； 决定着芯片的最终尺寸. 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 涂胶 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 曝光 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 显影 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 湿法刻蚀 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 刻蚀多晶硅 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 离子注入 2.1 芯片制备 光刻与刻蚀工艺 2.1 芯片制备 芯片切割 2.1 芯片制备 芯片切割 2.1 芯片制备 芯片切割 2.2 芯片贴装 芯片贴装（die mount/bonding/attachment) 目的：实现芯片与底座（chip carrier）的连接. 要求： 机械强度 化学性能稳定 导电、导热 热匹配 可操作性 2.2 芯片贴装（die mount) 2.2.1 共晶粘贴法 2.2.2 焊接粘贴法 2.2.3 导电胶粘贴法 2.2.4 玻璃胶粘贴法 2.2 芯片贴装 2.2.1 共晶粘贴法 2.2 芯片贴装 2.2.1 共晶粘贴法 润湿性的重要性； 预型片的使用（Au-2%Si合金）； 2.2 芯片贴装 2.2.2 焊接粘贴法 所用气氛：热氮气 工艺优点：热传导性好 2.2 芯片贴装 2.2.3 导电胶粘贴法 2.2 芯片贴装 2.2.3 导电胶粘贴法 芯片粘结剂： 环氧树脂；聚酰亚胺；硅氧烷聚酰亚胺。 填充料： 银颗粒或者银薄片（75-80%） 使用考虑因素： 流动性；粘着性；热传导性；电导性；玻璃化转变温度；吸水性. 2.2 芯片贴装 2.2.3 导电胶粘贴法 三种导电胶： （1）各向同性材料； （2）导电硅橡胶； （3）各向异性导电聚合物。 共同点：表面形成化学结合和导电功能。 2.2 芯片贴装 2.2.4 玻璃胶粘贴法 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 2.3.2 载带自动键合技术(TAB) 2.3.3 倒装芯片键合技术(FCB/C4) 2.3 芯片互连 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 主要的打线键合技术： . 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) （1）超声键合（冷焊） 摩擦产生塑性变形，两方金属键合。 通过铝丝的连接都采用超声键合. (2)热压焊 破坏压焊界面的氧化层； 金属丝和焊区金属达到原子力范围之内。 （3）热超声键合 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 打线键合的线材 铝线：铝-1%硅合金； 0.5-1%镁的铝线； 铝镁硅合金或铝铜合金. 金线： 含5-100ppm 铍 含30-100ppm 铜 其他线材： 银线，铜线 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 键合拉力测试 2.3 芯片互连 2.3.1 打线键合技术(WB) 键合剪切力测试 2.3 芯片互连 2.3.2 载带自动键合技术（TAB） 在带状绝缘膜上载有覆铜箔刻蚀而形成的引线框架，而且芯片也可以载于其上。 带状绝缘膜一般聚酰亚胺制作，其两边设有与电影胶片相统一的送带孔，适合于批量生产。 2.3 芯片互连 2.3.2 载带自动键合技术 2.3 芯片互连 2.3.2 载带自动键合技术 TAB的优点： 封装高度低于1mm； 引脚数更高：10mm的芯片，WB300个，TAB500个， 引线电阻、电容、电感均比WB小，高速、高频性能