太阳能级硅材料测试技术与仪器分析报告.ppt

WWW.S 太阳级硅材料测试技术与仪器 WWW.S 少子寿命测试的基本原理和方法 铁含量的测试原理和方法 电阻率测试的基本原理和方法 红外探伤仪的基本原理和方法 硅片自动分选模组的介绍 目录： WWW.S 少子寿命测试的基本原理和方法 处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定的，称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件，称为非平衡状态。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子, 对于n型半导体材料，多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子。对p型半导体材料则相反, 产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡时的值, 非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命 - 少子寿命的概念 WWW.S 测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。最常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方法很多，如探测电导率的变化，探测微波反射或透射信号的变化等，这样组合就形成了许多寿命测试方法, 如: 直流光电导衰减; 高频光电导衰减; 表面光电压; 微波光电导衰减等 - 少子寿命测试的方法 对于不同的测试方法，测试结果可能会有出入，因为不同的注入方法，厚度或表面状况的不同，探测