全国大学生电子设计竞赛开关电源的基本拓扑结构技术分析.pptx

电源类赛题;电阻（阻值、功率） 采样电阻 电流采样——串一个阻值较小的电阻 电压采样——并一个阻值较大的电阻 电容（介质、耐压值）——多用于储能、滤波 电感（多用于储能）——储能、滤波、隔离 ;;Buck Boost Buck-Boost 推挽变换器 正激变换器 半桥变换器 全桥变换器 反激变换器;工作流程 K闭合，D截止，L充电，iLIo时，iL向电容充电同时向负载供电 K断开，L上产生反向电动势，通过D形成回路 iLIo，电容充电、负载供电 0iLIo，电容向负载供电 iL减为0，仅电容向负载供电;电流的连续与断续是针对电感上有无电流而定义的 CCM：电流连续模式，电感上有持续的电流流过 DCM：电流断续模式，电感上的电流不是连续的 两者的临界情况称为BCM模式;?;直流损耗：晶体管与二极管在直流导通状态下，自身压降同流过电流的乘积 交流损耗：集中于晶体管上。在开关开断过程中，晶体管上电压电流升降需要时间，若电流电压同时上升下降并同时结束则交流损耗最小，若电流变化结束电压才开始变化，则整个开断时间最长损耗最大，效率也最低。 ;二极管 普通二极管压降大，管耗大 普通二极管的结电容过大，无法跟上开关频率 多采用肖特基二极管（适用于电压低电流大的场合）或（超）快恢复二极管（适用于电压高电流小的场合） 肖特基的特点：低功耗（管压降低）、耐压低、反向恢复时间快 二极管考虑的参数： 反向耐压 峰值电流 开关速度;;?;?;工作流程 K闭合，iL增大，D截止，C向负载供电（如图1） K断开，UL和Ui串联，D导通，向C充电，同时向负载供电，iL减小（如图2） 若iL减小至0，D截止，C向R供电（如图3）;?;?;?;非隔离型：输入输出之间无电气隔离 隔离型：输入输出之间通过变压器等隔离 前面的BUCK、BOOST、BUCK-BOOST均属于非隔离型开关电源 非隔离型电路的安全性和干扰抑制能力存在缺陷 隔离型电路采用高频变压器隔离，通过改变原边与副边的匝数比，可以方便的设定输入/输出的电压、电流比，不再受基本的升降压限制;变压器;变压器二次侧与一次侧的变比为n 开关导通器件将输入能量通过变压器传递到输出 S1导通时，输入电压直接加在变压器的初级线圈上，次级感应电压使整流管D1导通，二次侧输出nUi S1截止时，D1截止，二次侧输出开路 续流管D2、L、C参照BUCK电路 可并联多个次级绕组，做辅输出 ;开关截止期间，变压器存储的能量传给输出变换器 反激式电路中变压器中需要存储能量，变压器中需要留有空气气隙 CCM下： DCM下： ;CCM下 采用双功率开关电路控制隔离变压器的励磁电流，以双向正激的方式进行能量传输 两个电容构成H桥的两个桥臂 两个由晶体管及保护二极管构成的功率开关形成H桥的另两个桥臂 两个电容阻止进入变压器初级的直流分量，避免由于不相等开关管导通时间引起的磁芯饱和风险 适合大功率场合 ;CCM下 图中省略了与开关管并联的保护二极管 使用四个功率开关构成H桥电路控制隔离变压器的励磁电流，以双向正激的方式进行能量的传递 H桥臂上对角交替导通，使隔离变压器原边绕组产生方向交变的脉冲电流，应避免H桥直通 为防止变压器磁芯饱和，在变压器的初级绕组支路上串联一个电容器，以阻止由于开关管正负半周导通时间不等引起的直流分量 适合大功率场合 上面两个开关需要光耦隔离或变压器隔离;双极型大功率晶体管（含达林顿管）：三端电流控制型开关器件，不常用 MOSFET：三端电压控制型开关器件 IGBT：MOSFET与双极型功率晶体管组合在一起的复合功率器件;栅极（G）、源极（S）、漏极（D） 分类：增强型（EMOS）、耗尽型（DMOS），其中耗尽型不用做功率晶体管 沟道：N、P（P的导通电阻较大，用N较广泛） 特性：输入阻抗高、开关速度快、高频特性好、热稳定性好、功率增益大、噪声小 应用：功率放大、电机调速、开关电源 常用型号：IRF540、IRF9540 对N-EMOS，栅源间电压为0，漏源间电流为0，需要增加栅源电压以使得漏源间有电流流过;N型：常用正电源供电，负载连接于电源正与漏极之间 P型：漏极电流由负的栅源电压控制，从正供电母线流入源极，从漏极流出，然后通过负载阻抗回到负供电母线;绝缘栅双极晶体管（IGBT）;开关导通瞬间，驱动电路应提供足够大的充电电流，使MOSFET栅源间电压迅速上升到所需值 导通期间，保证栅源电压稳定，使MOSFET可靠导通 导通期间，由于MOS的输入阻抗很高，故栅极电流很小，一般只有nA级别，可忽略 关断瞬间，提供尽可能低阻抗的通路使MOSFET栅源间电容电压快速释放，保证开关管快速关断 关断期间，最好能提供一个负电压，避免干扰误导通 ;?;?;推挽输出的开关形式——图腾驱动 R1——改变控制脉冲的前后沿陡度，并防止自