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顾 北京邮电大学 一. 激光原理的基础知识 1、光的吸收和放大 1)能级和能带 2)能级的光跃迁 3)光的吸收和放大 2、半导体激光器中增益区的形成 1)晶体中载流子的统计分布 2) PN结的能带和增益区的形成 (3)光的吸收与放大 设光波频率为?,光强为I ?,经过原子煤质 , 发出光能: , 吸收光能: 单位体积中的净功率: 2.2半导体激光器和发光二极管 2.2.1 半导体激光器 2、F-P腔激光器的分类 按制作激光器的材料分类: 短波长(0.85 ?m)波段,采用GaAs/GaAlAs 长波长(1.3 ?m~1.55 ?m) ,采用InGaAsP/InP 按垂直于PN结方向的结构分类: 同质结 单异质结 双异质结 双异质结的作用: 带隙差对载流子有限制作用; 折射率差对光子有限制作用 按平行于PN结方向的结构分类 宽面LD (没有导向) 条形LD:台面条形 平面条形 (SiO2条形,质子轰击条形, Zn扩散条形等)(增益导向) 隐埋条形 (折射率导向) 2.2.3 量子阱激光器 结构特点:有源区非常薄 量子阱(QW,Quantum Well) 半导体激光器是一种窄带隙有源层夹在宽带隙半导体材料中间或交替重叠生长,有源层厚度小至德布罗意波长量级的新型半导体激光二极管。 性能特点: 阈值电流低,输出功率高 谱线宽度窄,频率啁啾改善 调制速率高 频率啁啾(chirp ):对激光器进行直接调制时,由于注入电流的变化,引起载流子浓度的变化,进而导致折射率变化,使发射光谱的动态谱线展宽。 4. 半导体激光器的主要特性 阈值特性 效率 温度特性 (1)阈值性质 当注入电流达到阈值以后,才能发射谱线尖锐、模式明确的激光。 内量子效率?i:定义为有源区里每秒钟产生的光子数与有源区里每秒钟注入的电子-空穴对数之比。 有源区里的电子-空穴对的复合过程分两种情况: 辐射复合→产生光子 Rr复合的速率 非辐射复合→产生声子,转化为晶格的振动 Rnr 外量子效率?ex:定义为激光器每秒钟实际输出的光子数与每秒钟外部注入的电子-空穴对数之比。 2.2.4 DFB激光器 原理:通过周期性的波纹结构提供的光耦合来建立光振荡,即布喇格反射原理 1.结构特点 布拉格反射条件: n(D + B) = m? nD(1 + sin? ) = m ? 2 nD= m ? m=1,2,3,… 2. 布拉格反射原理 D为波纹光栅的周期; n为材料等效折射率; m为整数; ? 为波长 3. DFB激光器的优点 单纵模振荡 线性度好 线宽窄:布拉格反射可比作多级调谐,使谐振波长的选择性大为提高。 稳定性好:因为光栅有助于锁定在给定的波长上,使其温度漂移很小。 动态谱特性好:高速调制下也保持单模振荡,虽然动态谱宽度要比静态谱宽展宽,但较F-P腔LD展宽小得多。 (2) 电光转换效率 功率效率?P:定义为激光器输出光功率Pex与注入激光器的电功率Pin之比。 Vj:激光器的结电压; Rs:激光器的串联电阻; I: 注入电流。 I:激光器注入电流 V:PN结上外加电压 * * 顾 第2.1讲 半导体激光器和发光二极管 一. 激光原理的基础知识 二、半导体激光器的结构、分类 三、半导体激光器的主要性质 四、发光二极管 半导体光源: 半导体激光器(LD)和半导体发光二极管(LED) 半导体光源的优点: 体积小、重量轻、耗电少、易于光纤耦合 发射波长适合在光纤中低损耗传输 可以直接进行强度调制 可靠性高 1、光的吸收和放大 (1)原子能级和晶体的能带 电子绕核运动

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