全控型器件的功率晶体管.docxVIP

第 PAGE \* MERGEFORMAT 6页 教案 全控型器件的功率晶体管、可关断晶闸管和场效应管 教学目标： 1、学会功率晶闸管（GTR）的结构与工作原理及其驱动电路。 2、了解可关断晶闸管（GTO）的结构与工作原理。 3、掌握功率场效应晶体管（MOSFET）的结构与工作原理。 教学重点： 1．功率场效应晶体管（MOSFET）的结构与工作原理。 教学难点： 1、可关断晶闸管（GTO）的结构与工作原理。 教学方法：讲授法 教学时间：90分钟 试讲教材：电力电子技术（第2版） 张涛等编 北京：电子工业出版社 2009 教学步骤： 一、导入 同学们现在先回顾上一节的知识，学习了触发脉冲的形成与放大和锯齿波同步电压的形成。负半周下降段∶VD1通，C1充电，上(+)下(-)，O接地，R负反馈， Q也为负电位，VT2反偏截止，C1不能经VD1放电。负半周下降段∶+15V经R1给C1充电，uQ为C1反向充电波形，上升速度比R点同步电压慢，故VD1截止，Q点电位1.4V时， VT2通，uQ钳制在1.4VuTB相位与主电路相位一致，故可实现同步。 二、新课讲授 §5.1功率晶闸管（GTR）的结构与工作原理 大功率晶体管又称电力晶体管, 简称GTR，通常指耗散功率（或输出功率） 1 W以上的晶体管。 GTR属于第二代功率半导体器件，它克服了晶闸管不能自关断与开关速度慢的缺点。其电气符号与普通晶体管相同。 GTR是一种双极型大功率高反压晶体管，具有自关断能力，控制方便，开关时间短，高频特性好，价格低廉。可用于不停电电源、中频电源和交流电机调速等电力变流装置中。 主要特点：是电流驱动器件，控制基极电流就可控制电力三极管的开通和关断；开关速度较快；饱和压降较低；有二次击穿现象；能控制较大的电流和较高的电压。 图5.2 NPN型达林顿GTR （1）额定电压：GYR上所加的电压超过规定值时，就会发生击穿。BUCEO：基极开路时，集-射极击穿电压。 (2)． 集电极最大耗散功率PCM PCM即GTR在最高集电结温度时所对应的耗散功率，它等于集电极工作电压与集电极工作电流的乘积。这部分能量转化为热能使管温升高，在使用中要特别注意GTR的散热。如果散热条件不好，会促使GTR的平均寿命下降。 (3)． 最高结温TjM GTR的最高结温与半导体材料的性质、器件制造工艺、封装质量有关。一般情况下，塑封硅管的TjM为125℃～150℃。 GTR的特性： 1. 静态特性 如图5.3 共射极电路的集电极输出特性 2. 动态特性 图5.4 GTR的开关特性 5.2 可关断晶闸管（GTO） 1. GTO的基本工作原理 GTO的工作原理与普通晶闸管相似，其结构也可以等效看成是由PNP与NPN两个晶体管组成的反馈电路。两个等效晶体管的电流放大倍数分别为α1和α2。 GTO触发导通的条件是：阳极与阴极之间承受正向电压；门极加正脉冲信号（门极为正， 阴极为负）。 这时，α1+α2＞１，从而在其内部形成电流正反馈，使两个等效晶体管接近临界饱和导通状态。导通后的管压降比较大，一般为2～3 V。 图5.5 GTO的结构和电气符号 图5.6 GTO开通和关断过程中的电流波形 5.3 功率场效应晶体管 图5.7　VDMOSFET的结构示意图 功率MOSFET的特性 1. 静态特性 图5.8 功率MOSFET的输出特性 2. 动态特性 图5.9 功率MOSFET输入输出电压波形 电力场效应管的结构和工作原理： 　　电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置???，主要应用N沟道增强型。 　　电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有很大区别。小功率绝缘栅MOS管是一次扩散形成的器件，导电沟道平行于芯片表面，横向导电。电力场效应晶体管大多采用垂直导电结构，提高了器件的耐电压和耐电流的能力。按垂直导电结构的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双扩散VDMOSFET。 　　电力场效应晶体管采用多单元集成结构，一个器件由成千上万个小的MOSFET组成。 三、总结 本次课程我们学习了功率晶体管又称电力晶体管, 简称GTR，通常指耗散功率（或输出功率） 1 W以上的晶体管。还学习了GTO的基本工作原理。 GTO的工作原理与普通晶闸管相似，其结构也可以等效看成是由PNP与NPN两个晶体管组成的反馈电路。两个等效晶体管的电流放大倍数分别为α1和α2。