四探针法测扩散薄层的方块电阻解决方案.docVIP

《半导体物理学》 四探针法扩散薄层方块电阻的测量 实验报告 通信工程学院 微电子121班 小组成员 姓名： 学号： 付天飞 2012102027 刘静帆 2012102025 杨壮 2012102028 陈治州 2012102024 2014年10月22日 四探针法扩散薄层方块电阻的测量 一 前言 在结型半导体器件的生产中，大多使用扩散法来制备p—n结。扩散层中杂质分布的状况及p—n结的深度对器件的特性有明显的影响。 用四探针法测量扩散层的方块电阻，可以求得扩散层单位面积的杂质总量，如果结合结深的测量，还可以估算出表面杂质浓度，因此，在晶体管及集成电路的生产中，几乎每次扩散以后都要测量方块电阻，以检验该次扩散是否达到预期的要求。 二 测量原理 1．方块电阻的定义 如图4-3所示方形薄片，长、宽、厚分别用L、W、d表示，当电流如图示方向流过时，若L=W，这个薄层的电阻称为方块电阻，一般用R表示，单位为Ω/□ 图4.-3 方块电阻的定义 （1）杂质均匀分布的样品 若该半导体薄层中杂质均匀分布，则薄层电阻Rs为： 当L=W，即薄片为正方形时，Rs =R，R=ρ/d为方块电阻，L/W为方块数，简称方数，它与正方形边长大小无关。 （2）杂质非均匀分布的样品 实际扩散层中杂质分布不均匀，杂质分布与扩散方式有关，主要有以下两种扩散方式： ① 恒定表面源扩散：在整个扩散过程