模拟CMOS集成电路设计第2章MOS器件物理基础要点分析.pptVIP

第二章MOS器件物理基础 MOSFET的结构 MOSFET的结构 MOS管正常工作的基本条件 同一衬底上的NMOS和PMOS器件 例：判断制造下列电路的衬底类型 NMOS器件的阈值电压VTH NMOS管VGS VT、VDS 0时的示意图 NMOS管VGS VT、 0 VDS VGS-VT时的示意图 NMOS沟道电势示意图 0 VDS VGS-VT I/V特性的推导（1） I/V特性的推导（2） 三极管区的MOSFET（0 VDS VGS－VT） I/V特性的推导（3） 饱和区的MOSFET（VDS ≥ VGS－VT） NMOS管VGS VT、VDS VGS-VT时的示意图 NMOS管的电流公式 MOSFET的I/V特性 例2.1：在图2.14a中，表示M1是受VG控制的电阻。假设Cox＝50uA/V，W/L 10，VTH＝0.7V。漏端开路 MOSFET的跨导gm 例2.2：如图2.19，画出跨导与 的函数曲线 MOS管饱和的判断条件 MOS模拟开关 NMOS模拟开关传送高电平的阈值损失特性 PMOS模拟开关传送低电平的阈值损失特性 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管的开启电压VT及体效应 MOS管体效应的Pspice仿真结果 衬底跨导 gmb MOSFET的沟道调制效应 MOSFET的沟道调制效应 MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果 MOS