基于GaNLED芯片的反射电极结构在量产中的稳定性研究介绍.doc

基于GaN LED芯片的反射电极结构在量产中的稳定性研究 王远红 湘能华磊光电股份有限公司 湖南郴州 423000 摘要： 本文以目前GaN LED芯片量产制造中的一种主流的金属电极结构（反射电极结构 为研究对象，主要侧重从实际量产过程中如何保持该电极的稳定性，一致性方面进行了研究；研究主要从反射电极结构的第一层膜厚准确性如何实现及管控，以及其对GaN LED芯片的各项性能的影响进行了详细的研究和阐述；另外，就反射电极结构在量产过程中如何防范Al金属在后续作业以及存储过程中由于Al被慢慢腐蚀而导致的电极结构不稳定的问题也做了详细的阐述。 关键词：GaN LED 反射电极 引言： 自1993年日本中村修二发明了第一颗蓝光LED芯片以来，经过二十多年的发展，目前蓝绿光LED的应用越来越广：照明，背光显示，户外显示屏等等，让目前的LED行业进入到了一个高速发展期；目前的LED芯片的性能一直在快速提升，成本也在迅速下降，而光效始终LED芯片技术的核心指标之一：目前LED芯片制造厂家都在提升各项可靠性的同时，想尽千方百计提升发光效率；近两年来，在LED芯片制造中，芯片的反射电极结构已经基本取代了之前的CrPtAu电极结构，而其主要的原因就是因为反射电极结构与传统的CrPtAu电极结构相比能有效提高LED芯片的外量子效率：其原理是通过金属电极第一层减薄，第二层使用