功率总结报告2012.docVIP

功率问题面面观 纲要： 为什么要探讨功率问题？ 由实验现象所得出的猜想。 由电路模型来解释实验现象，进一步从理论上验证。 用电路模型验证已有的产品功率问题。 如何改善功率的问题？ 如何计算功率容量的问题？ 为什么要探讨功率问题？ 大家都知道，大功率是我们公司一直以来都存在的问题，如何解决这个问题，并总结出有价值的经验公式，成为目前比较迫切的难题。现成的功率问题比较好解决，但要做到在设计产品之前就控制功率的容量，避免不断的修改腔体，以提高产品设计的成功率。 依据遇上的实际问题，改善功率容量有各种各样的方法，比如说谐振杆底部和调谐螺杆底部打火，我们可以选择把谐振杆底部车细，或是把谐振杆加高等等，这都是比较直观的认识，更深入一点，我们这样做，究竟是改变了什么？电场电容，驻波，单腔Q值，时延还是插损，他们之间又有什么样的联系？带着这些问题，用实物做实验，找出功率的改善究竟和什么有关？ 由实验现象所得出的猜想。 选用1.9GA CDDU合路器做实验：（0.5个大气压） 首先让插损变化，看看功率容量的变化： 插损（db） 0.65 0.7 0.75 最大功率(w) 330 380 290 8G EDU： 插损（db） 0.7 0.85 0.99 最大功率（w） 110 450 610 从以上的实验可以看出，实验现象和我们以前的认识存在矛盾，一般我们认为