丁福 原位低氧化参数对ZnO薄膜的性能影响.docVIP

本科毕业论文（设计） 题 目 原位低压氧化参数对ZnO薄膜的性能影响 二 级 学 院　　物理科学与技术学院 专 业 物 理 学 年 级 2004级 学 号 2004294101 姓 名 丁 福 指 导 教 师 张 军 博士 成 绩 2008年 月 日 湛江师范学院 本科毕业论文（设计）指导教师评阅表 毕业论文（设计）题目 原位低压氧化参数对ZnO薄膜的性能影响 姓 名 丁 福 学 号 2004294101 二级学院、专业、年级 物理科学与技术学院2004级物理学本科1班 指 导 教 师 张 军 评阅时间 评 阅 意 见 论 文 成 绩 总成绩 指导教师评阅成绩 交叉评阅教师成绩 答辩成绩 指 导 教 师 签 名 备 注 中文摘要： 1 英文摘要： 1 引言 1 1.样品的制备与表征仪器 2 2.原位低压氧化参数对ZnO薄膜的性能影响 3 2.1未氧化和450℃氧化2小时薄膜样品 3 2.2不同温度下氧化2小时样品 4 2.3氧化温度为500℃时不同氧化时间样品 5 2.4不同样品的电学测量结果 6 2.5不同氧化温度下氧化2小时的样品 8 结论 9 致谢 9 参考文献 10 原位低压氧化参数对ZnO薄膜的性能影响 姓名：丁福 指导老师：张军 湛江师范学院物理科学与技术学院，湛江 524048 摘要：利用反应溅射技术制备Zn3N2薄膜，然后对Zn3N2薄膜进行原位氧化，成功制备出低阻p型ZnO薄膜。这种制备方法是以Zn3N2薄膜作为前驱体，通过调节氧化的工艺参数来控制样品中活性氮的含量。该工艺采用了原位低压氧化技术，降低了碳、氢等元素的污染，同时还抑制了Zn3N2的水解反应，优化了ZnO薄膜的电学和光学性质。本论文主要研究的是原位低压氧化法中其参数对ZnO薄膜性能的影响 关键词：原位氧化、ZnO、薄膜 In-situ low pressure oxidation parameters on the properties of ZnO films Dingfu Zhanjiang Normal University, zhanjiang, Guangdong, China 524048 Abstract: The reaction of Zn3N2 film sputtering technology, and then the general Zn3N2 film oxidation and in-situ oxidation, to the success of low resistance p-type ZnO films. This preparation is Zn3N2 film as a precursor, through the adjustment of the process parameters to control samples of the nitrogen content. The process used in situ oxidation of low pressure and reduce the carbon, hydrogen and other elements of pollution, and also restrained the Zn3N2 the hydrolysis, and optimize the ZnO films electrical and optical properties. This paper is on the in situ oxidation of low pressure in its parameters on the properties of ZnO films Keywords: Parameters、ZnO、Films 引言 氧化锌薄膜是一种六角纤锌矿结构的直接带宽禁带半导体，室温下禁带宽度为3.37eV，它有较高的激子结合能（60 meV）和较低的亲合势（3.0 eV）。由于ZnO 可实现P 型或N