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第四章 场效应管放大电路 场效应管是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。场效应管的分类根据结构和工作原理的不同，场效应管可分为两大类：结型场效应管(JFET)绝缘栅型场效应管(IGFET)。 主要内容: 结型场效应管的结构及工作原理 金属-氧化物-半导体场效应管的结构及工作原理 场效应管放大电路的静态及动态性能分析 教学要点： 了解结型场效应管和MOS管的工作原理、特性曲线及主要参数 掌握用公式法和小信号模型分析法分析其放大电路的静态及动态性能 了解三极管及场效应管放大电路的特点 基本要求: 介绍结型场效应管和MOS管的工作原理、特性曲线，重点介绍用公式法和小信号模型分析法分析其放大电路静态及动态性能4.1 结型场效应管 4.1.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+ 区,就形成两个不对称的PN结，即耗尽层。把两个P+区并联在一起，引出一个电极g，称为栅极，在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极s和漏极d。 场效应管的与三极管的三个电极的对应关系：栅极g基极b源极s发射极e漏极d集电极c 夹在两个PN结中间的区