低噪声功率放大器设计详细分解.docxVIP

微波电子线路大作业 ——低噪声功率放大器设计 班级：021013班 学号姓名： 低噪声放大器的设计 一、设计要求： 已知GaAs FET在4 GHz、50 Ω系统中的S参数和噪声参量为 S11=0.6∠－60°，S21=1.9∠81°， S12=0.05∠26°，S22=0.5∠－60°　　Fmin=1.6 dB　Γout=0.62∠100°RN=20 Ω设计一个低噪声放大器，要求噪声系数为2 dB，并计算相应的最大增益。 若按单向化进行设计，则计算GT的最大误差。 二、低噪声放大器设计原理及思路 1.1低噪声放大器功能概述 低噪声放大器是射频／微波系统的一种必不可少的部件，它紧接接收机天线，放大天线从空中接收到的微弱信号。低噪声放大器在对微弱信号放大的同时还会产生附加于扰信号，因此它的设计目标是低噪声，足够的增益，线性动态范围宽。低噪声放大器影响整机的噪声系数和互调特性，分析如下 系统接收灵敏度： 多个级连网络的总噪声系数 1.2 放大器工作组态分类 A类放大器（导通角360度，最大理论效率50%）用于小信号、低噪声，通常是接收机前端放大器或功率放大器的前级放大。B类（导通角180度，最大理论效率78.5%）和C类（导通角小于180度，最大理论效率大于78.5% ）放大器电源效率高，愉出信号谐波成分高，需要有