第七章光刻工艺A.pptVIP

* 第 七 章 光 刻 工 艺 前面工艺的遗留问题 a. 如何在一片硅片上定义、区分和制造出不同类型、 不同结构和尺寸的元件? b. 如何把这些数以亿计的元件集成在一起获得我们 所要求的电路功能? c. 如何在同一硅片上制造出具有不同功能的集成电路。 1、 氧化、扩散、离子注入、外延、CVD等一系列工艺都是 对整个硅园片进行处理，不涉及任何图形。 3、 图形转移技术：光刻与刻蚀 2、 在同一集成电路制造流程中,经历了一系列加工工艺后： 光刻工艺 ■ ? 概述 ■ ? 掩膜版 ■ ? 光刻机 ■ 光刻胶 ■ ? 典型的光刻工艺流程 参考资料： 《微电子制造科学原理与工程技术》第7、8章 （电子讲稿中出现的图号是该书中的图号） 一、概述 是指通过曝光和选择性化学腐蚀等工序将掩膜版上的 集成电路图形印制到硅片上的精密表面加工技术。 像纸上的感光材料 光刻胶 ? 胶卷（底片） 掩膜版 ? 曝光系统（印像机） 光刻机 ?? 暗室（小红灯） 光刻间（黄灯） ? 显影液 ? 定影液 光源 光阑 快门 掩膜 光刻胶 硅片 一个简单的光刻曝光系统示意图 （光刻、工序及说明） 1、光刻： (1) 利用旋转涂敷法在硅片表面上制备一层光刻胶; (2) 将一束光通过掩膜版对光刻胶进行选择性曝光; (