半导体工艺原理复习资料.docVIP

第一章 晶体生长技术（直拉法（CZ）、区熔法（FZ））。 半导体：常温下导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，如二极管、计算机、移动电话等。 导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。 N型半导体（电子型半导体），自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。硅晶体中掺入五价元素（如磷），自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子的浓度就越高，导电性能就越强。 P型半导体（空穴型半导体）即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。硅晶体中掺入三价元素（如硼）。空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子的浓度就越高，导电性能就越强。 区熔法（FZ）特点：硅片含氧量低、纯度高、成本高、主要用于高功率IC。难生长大直径硅晶棒。低阻值硅晶棒、掺杂均匀度较差。 CZ法：成本低、可做大尺寸晶锭、材料可重复使用。 CZ工艺工程：籽晶熔接，引晶和缩颈，放肩，收尾。 影响因素：拉伸速率、旋转速率。 硅片制备步骤：机械加工，化学处理，表面抛光，质量测量 制备流程：整形处理，去掉两端，径向研磨。 硅片制作流程： 磨片和倒角（防止产生缺陷），刻蚀（去除沾污和损伤层）腐蚀液：HNO3+HF+醋酸，抛光（去除表面缺陷），清洗（去除残留沾污） 晶体缺陷：点缺陷（空位缺陷