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- 2016-06-09 发布于贵州
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第七章 金属和半导体的接触 1 什么是功函数?哪些因素影响了半导体的功函数?什么是接触势差? 功函数是指真空电子能级E0与半导体的费米能级EF之差。 影响功函数的因素是掺杂浓度、温度和半导体的电子亲和势。 接触势则是指两种不同的材料由于接触而产生的接触电势差。 2 什么是Schottky势垒?影响其势垒高度的因素有哪些? 金属与n型半导体接触形成阻挡层,其势垒厚度随着外加电压的变化而变化,这就是Schottky势垒。 影响其势垒高度的因素是两种材料的功函数,影响其势垒厚度的因素则是材料(杂质浓度等)和外加电压。 3 什么是欧姆接触?形成欧姆接触的方法有几种?试根据能带图分别加以分析。 欧姆接触是指其电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触。 形成欧姆接触的常用方法有两种,其一是金属与重掺杂n型半导体形成能产生隧道效应的薄势垒层,其二是金属与p型半导体接触构成反阻挡层。其能带图分别如下: 4 什么是镜像力?什么是隧道效应?它们对接触势垒的影响怎样的? 金属与半导体接触时,半导体中的电荷在金属表面感应出带电符号相反的电荷,同时半导体中的电荷要受到金属中的感应电荷的库仑吸引力,这个吸引力就称为镜像力。 能量低于势垒顶的电子有一定几率穿过势垒,这种效应就是隧道效应。隧道穿透的几率与电子的能量和势垒厚度有关。 在加上反向电压时,上述两种效应将使得金属一边的势垒降低
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