半导体物理学(7版)第四章习题及答案.docVIP

第四章习题及答案 1. 300K时，Ge的本征电阻率为47(cm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/( V.S)和1900cm2/( V.S)。 试求Ge 的载流子浓度。 解：在本征情况下，,由知 2. 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/( V.S)和500cm2/( V.S)。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离，试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍？ 解：300K时，，查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为。 本征情况下， 金钢石结构一个原胞内的等效原子个数为个，查看附录B知Si的晶格常数为0.543102nm，则其原子密度为。 掺入百万分之一的As,杂质的浓度为，杂质全部电离后，，这种情况下，查图4-14（a）可知其多子的迁移率为800 cm2/( V.S) 比本征情况下增大了倍 3. 电阻率为10(.m的p型Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。 解：查表4-15(b)可知，室温下，10(.m的p型Si样品的掺杂浓度NA约为,查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为, 4. 0.1kg的Ge单晶，掺有3.2(10-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率((n=0.38m2/( V.S),Ge的单晶密度为5.32g/cm3,Sb原子量为121.8(。 解：该